[發明專利]一種制備硅納米結構材料的方法在審
| 申請號： | 201310491554.1 | 申請日： | 2013-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN103526299A | 公開（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發明（設計）人： | 彭奎慶;劉琳 | 申請（專利權）人： | 北京師范大學 |
| 主分類號： | C30B33/10 | 分類號： | C30B33/10;C25F3/14;C25F3/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100875 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 納米 結構 材料 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備硅納米結構材料的方法，其特征在于所述方法依次按如下步驟進行：
(1)采用化學鍍或真空熱蒸發沉積技術在潔凈的硅片表面上沉積一層金屬銀或金納米顆粒薄膜；
(2)采用光刻技術和真空熱蒸發沉積技術在潔凈的硅片表面上沉積一層規則的金屬銀或金納米顆粒薄膜；
(3)將步驟(1)得到的硅片和石墨棒或金、銀、鉑電極一起浸入含有氫氟酸溶液的容器中，并用導線將硅片和石墨棒或金、銀、鉑電極連接起來，在25-50攝氏度條件下反應完成后得到硅納米結構材料；
(4)將步驟(2)得到的硅片和石墨棒或金、銀、鉑電極一起浸入含有氫氟酸溶液的容器中，并用導線將硅片和石墨棒或金、銀、鉑電極連接起來，在25-50攝氏度條件下反應完成后得到硅納米結構材料。
2.根據權利要求1所述的一種制備硅納米結構材料的方法，所述步驟(3)和(4)中的氫氟酸濃度范圍為1-20mol／L。
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