[發(fā)明專利]一種氮化硅粉體及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310489972.7 | 申請日: | 2013-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN103496679A | 公開(公告)日: | 2014-01-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張海軍;古亞軍;張少偉;李發(fā)亮;魯禮林 | 申請(專利權)人: | 武漢科技大學 |
| 主分類號: | C01B21/068 | 分類號: | C01B21/068;C04B35/584;C04B35/626 |
| 代理公司: | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 張火春 |
| 地址: | 430081 *** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氮化 硅粉體 及其 制備 方法 | ||
1.一種氮化硅粉體的制備方法,其特征在于所述制備方法的步驟是:
步驟一、先將硅粉與蒸餾水以固液質量比為1︰(50~80)混合,攪拌20~30min,再超聲分散20~30min,制得懸浮液;
步驟二、以Si與Co的質量比為1︰(0.005~0.05)向所述懸浮液中加入0.88mol/L水溶性鈷鹽,制得混合液;
步驟三、將所述混合液置于氮氣氣氛中,在冰水浴條件下向所述混合液中加入還原劑,還原劑與Co的摩爾比為(2~5)︰1,攪拌0.5~1h;再將還原后的混合液抽濾,真空干燥10~12h,制得混合粉體;
步驟四、將所述混合粉體置于管式氣氛爐內,在氮氣氣氛下以2~8℃/min的升溫速率升至1200~1350℃,保溫2~8h,即得氮化硅粉體。
2.根據權利要求1氮化硅粉體的制備方法,其特征在于所述硅粉中的Si含量≥95wt%,粒徑≤88μm。
3.根據權利要求1氮化硅粉體的制備方法,其特征在于所述水溶性鈷鹽為氯化鈷、硫酸鈷和硝酸鈷中的一種,氯化鈷、硫酸鈷和硝酸鈷的純度均為分析純。
4.根據權利要求1氮化硅粉體的制備方法,其特征在于所述還原劑為硼氫化鈉、次磷酸鈉和水合肼中的一種,硼氫化鈉、次磷酸鈉和水合肼純度為分析純或為工業(yè)純。
5.一種氮化硅粉體,其特征在于所述氮化硅粉體是根據權利要求1~4項中任一項所述氮化硅粉體的制備方法所制備的氮化硅粉體。
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