[發(fā)明專利]一種涂層切削刀具及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310489244.6 | 申請日： | 2013-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN103586520A | 公開（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳路;伍偉;盧志紅 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門金鷺特種合金有限公司 |
| 主分類號： | B23C5/00 | 分類號： | B23C5/00;C23C14/32 |
| 代理公司： | 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 35204 | 代理人： | 連耀忠 |
| 地址： | 361000 福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 涂層 切削 刀具 及其 制作方法 | ||
1.一種涂層切削刀具，包括基體和基體上涂覆的單層或多層涂層；其特征在于：所述基體為硬質(zhì)合金、金屬陶瓷或高速鋼材料制作而成；所述單層或多層涂層，所述涂層為（Ti1-aMea）X涂層，其中，Me為化學(xué)元素Al、Cr、Zr、Si、Hf、Nb、W和Ta的其中一種或幾種，X為化學(xué)元素N、C、O和B的其中一種或幾種，a在0.2到0.6之間，利用X射線衍射在θ/2θ幾何構(gòu)成檢測多晶立方相的存在，在衍射圖譜上所述涂層特征表現(xiàn)為僅有一個明顯的立方相反射波峰,波峰位于以2θ為橫坐標(biāo)的40度至45度之間，且波峰與背景比例P在大于1.2小于3之間,其余涂層立方相反射峰的波峰與背景比例P值小于1.2或波峰未能檢出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層切削刀具，其特征在于：所述涂層在衍射圖譜上表面為反射波峰寬化，反射波峰半幅全寬在0.8度2θ以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層切削刀具，其特征在于：所述硬質(zhì)合金材料中，是以WC為主成分，并含有6wt%至13wt%的Co,和含有0.1wt%至0.5wt%的Cr，其中，WC顆粒平均大小為0.5μm至2.5μm之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層切削刀具，其特征在于：所述涂層在室溫下的納米硬度H在32GPa至42GPa之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層切削刀具，其特征在于：所述單層或多層涂層的總厚度為1μm至8μm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層切削刀具，其特征在于：所述多層涂層中，緊靠所述基體的一層涂層被設(shè)定為過渡層，過渡層以外的涂層被設(shè)定為功能層，所述過渡層與功能層的厚度之比為1:3以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂層切削刀具，其特征在于：所述多層涂層中，最外一層涂層被設(shè)定為表面層，表面層之內(nèi)的涂層被設(shè)定為功能層，所述表面層與功能層的結(jié)構(gòu)不相同，且表面層的厚度為0.1μm至1μm之間。
8.一種如權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的涂層切削刀具的制作方法，是在基體上采用物理氣相沉積方法沉積所述涂層，所述涂層在下列條件下使用陰極電弧蒸鍍生成：
總壓力為0.1Pa至1Pa；
蒸鍍電流在160A至280A之間；
偏壓在-30V至-200V之間；
沉積溫度500℃至700℃之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的涂層切削刀具的制作方法，其特征在于：進一步的，還包括在涂層后，通過機械加工進行表面平滑化處理。
10.一種如權(quán)利要求1至7中任一權(quán)利要求所述的涂層切削刀具的用途，其特征在于：用于銑削加工。
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