[發(fā)明專利]一種MWT電池的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310489232.3
• 申請日: 2013-10-18
• 公開（公告）號: CN103618021A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊金波;陳康平;金浩;黃琳
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 33100
• 代理人: 吳關(guān)炳

1.一種MWT電池的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）制絨：通過酸制絨，去除硅片表面的損傷層，控制其形貌，降低反射率；

（2）擴(kuò)散：擴(kuò)散三氯氧磷形成PN結(jié)，方阻110ohm/sq；

（3）鍍減反膜：在硅片正面鍍一層氮化硅減反膜，其厚度為70-90nm；

（4）背鈍化：電池背面采用雙層鈍化膜鈍化，所述第一層鈍化膜帶負(fù)電性，第二層鈍化膜帶正電性，所述第一層鈍化膜的厚度為5-30nm，第二層鈍化膜的厚度為50-200nm；

（5）激光刻蝕：采用激光在硅片上穿通孔，在鈍化膜上刻電極隔離槽、鋁漿和硅片的接觸槽,?所述隔離槽寬5-10μm，深20-80μm；所述接觸槽寬20-100μm；所述通孔的直徑為100-300μm；所述隔離槽把通孔包圍，隔離槽邊緣與背面正電極的邊緣距離大于100μm；

（6）清洗：激光刻蝕步驟后，在80℃，10%-20%濃度的氫氧化鈉溶液浸泡5-10分鐘去除激光過程中的損傷層；

（7）氧化：通過CVD在通孔的孔壁，以及隔離槽的底部和側(cè)壁分別氧化一層二氧化硅層，所述二氧化硅層厚度為5-20nm；

（8）填充隔離槽：在隔離槽中填充絕緣材料，并烘干；

（9）印刷：進(jìn)行背面正電極的堵孔漿料印刷、背場的鋁漿印刷和正面電極印刷，堵孔漿料印刷和背場鋁漿印刷時(shí)不能接觸隔離槽，且背場鋁漿印刷與隔離槽的距離大于100μm；正面電極印刷時(shí)和通孔漿料充分接觸，以便把收集到的電流送到背面；

（10）高溫?zé)Y(jié)：在200℃下烘干后，通過900℃的高溫過程形成電極和硅片的良好歐姆接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的一種MWT電池的制作方法，其特征在于，所述步驟（8）填充隔離槽中的絕緣材料為聚硅氮烷。