[發(fā)明專利]一種硅太陽能電池生產(chǎn)中的濕刻蝕方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310489196.0
• 申請日: 2013-10-18
• 公開（公告）號: CN103618020A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李茂林;柳洪方;王學林;梁小科
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 33100
• 代理人: 吳關(guān)炳

1.一種硅太陽能電池生產(chǎn)中的濕刻蝕方法，包括水膜保護步驟和刻蝕步驟，其特征在于：在所述水膜保護步驟和刻蝕步驟之間增設(shè)去磷硅玻璃步驟，具體步驟如下：

（1）水膜保護步驟：在硅片的擴散面上通過水噴淋系統(tǒng)噴淋去離子水，形成水膜保護層，該水膜保護層一直持續(xù)存在，直到硅片完成刻蝕步驟；

（2）去磷硅玻璃步驟：水膜保護步驟后硅片進入氫氟酸槽，氫氟酸槽內(nèi)設(shè)有氫氟酸藥液，氫氟酸藥液是通過帶液滾輪帶到硅片的背面，去除硅片背面和邊緣的磷硅玻璃，而正面的磷硅玻璃層和水膜保護層不受到影響；

（3）刻蝕步驟：去磷硅玻璃步驟后硅片進入刻蝕槽，刻蝕背面和邊緣的PN結(jié)，在刻蝕槽中，硅片采用漂浮在刻蝕液上的方式進行刻蝕。

2.如權(quán)利要求1所述的硅太陽能電池生產(chǎn)中的濕刻蝕方法，其特征在于：所述去磷硅玻璃步驟中的氫氟酸濃度為2%～20%。

3.如權(quán)利要求1所述的硅太陽能電池生產(chǎn)中的濕刻蝕方法，其特征在于：所述氫氟酸槽內(nèi)的氫氟酸液高度低于硅片的高度。