[發(fā)明專利]一種激光切割硅片的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310489125.0
• 申請日: 2013-10-18
• 公開（公告）號: CN103586587A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設計）人: 喬金彪
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州斯爾特微電子有限公司
• 主分類號: B23K26/38
• 分類號: B23K26/38;B23K26/142;B23K26/146;B23K26/60;B23K26/70
• 代理公司: 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

技術(shù)領域

本發(fā)明涉及一種激光切割硅片的方法。?

背景技術(shù)

地殼中含量達25.8%的硅元素，為單晶硅的生產(chǎn)提供了取之不盡的源泉。由于硅元素是地殼中儲量最豐富的元素之一，對太陽能光伏電池這樣注定要進入大規(guī)模市場的產(chǎn)品而言，儲量的優(yōu)勢也是硅成為光伏主要材料的原因之一。硅片切割是太陽能光伏電池制造工藝中的關鍵部分。目前，在切割硅片時，硅片激光切割機利用高能激光束照射在硅片表面,使被照射區(qū)域局部熔化、氣化、從而達到劃片切割的目的。因激光是經(jīng)專用光學系統(tǒng)聚焦后成為一個非常小的光點，能量密度高，因其加工是非接觸式的，對硅片本身無機械沖壓力，硅片不易變形。熱影響極小，劃片切割精度高，但在切割的過程中會產(chǎn)生大量的硅粉，這些硅粉殘留在硅片上會對硅片造成污染，在后續(xù)的加工過程中還需要額外的工序來清潔處理，影響工作效率。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種激光切割硅片的方法，在切割的過程中對切割產(chǎn)生的硅粉及時清理掉，切割完成后無需對硅片進行清潔，提高工作效率。?

為實現(xiàn)上述技術(shù)目的，達到上述技術(shù)效果，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：?

一種激光切割硅片的方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：將硅片貼在藍膜上；

S2：貼片后進行烘烤加強藍膜和硅片的牢固度，制得待切割工件；

S3：將待切割工件固定在硅片激光切割機上進行切割，同時切割刀旁邊的噴嘴向切割點區(qū)域噴射冷卻水和工業(yè)清洗劑，制得干凈的硅片。

優(yōu)選的，工業(yè)清洗劑中還包括工業(yè)潤滑劑，由于貼片后進行烘烤，增強了藍膜和硅片的牢固度，防止切割過程中硅片和藍膜的脫落，另外在切割的同時還噴射冷卻水和工業(yè)清洗劑，可以及時清理掉切割時產(chǎn)生的顆粒殘留、硅粉，制得干凈的硅片，后續(xù)步驟中無需對硅片進行清理操作，提高了工作效率。?

本發(fā)明的有益效果是：防止切割過程中硅片和藍膜的脫落，加強潤滑度，提供最佳冷卻效果，清除切割時產(chǎn)生的顆粒殘留、硅粉，制得干凈的硅片，后續(xù)步驟中無需對硅片進行清理操作，提高了工作效率。?

具體實施方式

下面結(jié)合具體的實施例對本發(fā)明技術(shù)方案作進一步的詳細描述，以使本領域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實施，但所舉實施例不作為對本發(fā)明的限定。?

一種激光切割硅片的方法，包括以下步驟：?

S1：將硅片貼在藍膜上；

S2：貼片后進行烘烤加強藍膜和硅片的牢固度，制得待切割工件；

S3：將待切割工件固定在硅片激光切割機上進行切割，同時切割刀旁邊的噴嘴向切割點區(qū)域噴射冷卻水和工業(yè)清洗劑，制得干凈的硅片。其中硅片厚度在200-400微米之間。

優(yōu)選的，在步驟S3中，工業(yè)清洗劑中還包括工業(yè)潤滑劑，可以加強潤滑度。?

優(yōu)選的，在步驟S1和S2之間還包括步驟S4：檢查硅片和藍膜之間是否有氣泡，如果沒有氣泡，進入步驟S2，如果有氣泡，還需要重新擠掉氣泡后方可進入步驟S2中。?

由于貼片后進行烘烤，增強了藍膜和硅片的牢固度，防止切割過程中硅片和藍膜的脫落，另外在切割的同時還噴射冷卻水和工業(yè)清洗劑，可以及時清理掉切割時產(chǎn)生的顆粒殘留、硅粉，制得干凈的硅片，后續(xù)步驟中無需對硅片進行清理操作，提高了工作效率。?

以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或者等效流程變換，或者直接或間接運用在其他相關的技術(shù)領域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。?