[發(fā)明專利]條形陣列碲鋅鎘探測(cè)器的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310489066.7
• 申請(qǐng)日: 2013-10-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103560167A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐亞?wèn)|;何亦輝;楊波;王濤;查鋼強(qiáng);介萬(wàn)奇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西北工業(yè)大學(xué);陜西迪泰克新材料有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;G01T1/24
• 代理公司: 西北工業(yè)大學(xué)專利中心 61204
• 代理人: 王鮮凱

1.一種條形陣列碲鋅鎘探測(cè)器的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

步驟一、采用垂直布里奇曼法生長(zhǎng)的碲鋅鎘晶錠，沿著<111>方向定向切割成長(zhǎng)寬比在1～2之間的矩形單晶片，晶片厚度在0.5～5mm之間；

步驟二、切割好的單晶片經(jīng)機(jī)械拋光和化學(xué)拋光后，在單晶片的{111}Cd面采用熱蒸鍍法或濃度為10～50g/L的AuCl₃水溶液的化學(xué)方法制備Au電極，并在電極上涂覆光刻膠，以保護(hù)Au電極在后續(xù)的處理中不被破壞；在單晶片的{111}Te面同時(shí)光刻出4～6條1×8～1×32的條形陣列圖案，并采用熱蒸鍍法或濃度為10～50g/L的AuCl₃水溶液的化學(xué)方法制備Au電極；

步驟三、在單晶片光刻電極表面均勻涂覆一層光刻膠以保護(hù)條形陣列電極在劃片切割時(shí)不被切削液沖刷破壞；采用劃片機(jī)沿著條形陣列電極圖案的外圍輪廓?jiǎng)濋_(kāi)，形成獨(dú)立的條形陣列碲鋅鎘探測(cè)器；

步驟四、將條形陣列碲鋅鎘探測(cè)器放置于體積比為0.5～5%的Br₂-CH₃OH溶液內(nèi)腐蝕5～30分鐘，以去除劃片時(shí)造成的側(cè)面損傷層；

步驟五、將腐蝕完成后的條形陣列碲鋅鎘探測(cè)器放置于丙酮中去除條形陣列碲鋅鎘探測(cè)器覆蓋的光刻膠，并用去離子水清洗3～5分鐘，氮?dú)獯蹈伞?/p>