[發明專利]電子裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201310488725.5
• 申請日: 2013-10-17
• 公開（公告）號: CN103811460B
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發明（設計）人: 克里斯托夫·迪爾內科;貝特霍爾德·斯陶費爾
• 申請（專利權）人: 德州儀器德國股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768;H01L21/02
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種包括具有集成電路后端電容器及集成電路后端薄膜電阻器的半導體結構的電子裝置，所述半導體結構包括：

第一電介質層；

所述電容器的底板及薄膜電阻器主體；

第二電介質層，其安置于所述電容器的所述底板上及所述薄膜電阻器主體上，及

所述電容器的頂板，其安置于所述第二電介質層上在所述第二電介質層的由所述電容器的所述底板的橫向尺寸界定的區域中，

其中所述底板及所述電阻器主體為兩者均安置于所述第一電介質層上且由相同薄膜材料組成的橫向間隔開的層；

其中所述第一電介質層沉積于所述半導體結構的第一金屬化層上；

其中用于所述電容器的所述底板及用于所述薄膜電阻器主體的所述薄膜材料由SiCr組成，所述第二電介質層由氮化硅組成，且所述電容器的所述頂板由氮化鈦組成。

2.根據權利要求1所述的電子裝置，其中所述底板及所述電阻器主體的所述薄膜材料以及所述電容器的所述頂板的材料為金屬材料。

3.根據權利要求1所述的電子裝置，其進一步包括第三電介質層，所述第三電介質層安置于所述電容器的所述頂板上且安置于所述第二電介質層上在由所述薄膜電阻器主體的橫向尺寸界定的區域中。

4.根據權利要求3所述的電子裝置，其進一步包括延伸穿過第一垂直通孔的第一垂直互連件，其中所述第一垂直互連件延伸穿過所述第三電介質層且所述第一垂直互連件耦合到所述電容器的所述頂板。

5.根據權利要求4所述的電子裝置，其進一步包括延伸穿過第二垂直通孔的第二垂直互連件，其中所述第二垂直互連件延伸穿過所述第三電介質層，且其中所述第二垂直互連件耦合到所述電容器的所述底板。

6.根據權利要求5所述的電子裝置，其進一步包括延伸穿過第三垂直通孔的第三垂直互連件，其中所述第三垂直互連件延伸穿過所述第三電介質層，且其中所述第三垂直互連件耦合到所述薄膜電阻器主體。

7.根據權利要求6所述的電子裝置，其中所述半導體結構的第二金屬化層安置于所述第三電介質層上。

8.根據權利要求7所述的電子裝置，其中所述第一垂直互連件用于將所述電容器的所述頂板電連接到所述第二金屬化層，所述第二垂直互連件用于將所述電容器的所述底板電連接到所述第二金屬化層，且所述第三垂直互連件用于將所述薄膜電阻器層電連接到所述第二金屬化層。

9.根據權利要求6所述的電子裝置，其中安置于所述電容器的所述底板上及所述薄膜電阻器主體層上的所述第二電介質層為用于所述電容器的所述頂板的圖案化的蝕刻停止層。

10.一種制造包括具有集成電路后端電容器及集成電路后端薄膜電阻器的半導體結構的電子裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

a)沉積第一電介質層；

b)沉積所述電容器的底板及薄膜電阻器主體層；

c)在所述電容器的所述底板上及所述薄膜電阻器主體上沉積第二電介質層，及

d)在所述第二電介質層上于所述第二電介質層的由所述電容器的所述底板的橫向尺寸界定的區域中沉積所述電容器的頂板

其中所述底板及所述電阻器主體層兩者是在共同且單一工藝步驟中沉積于所述第一電介質層上且由相同薄膜電阻材料組成，且其中所述底板及所述電阻器主體為橫向間隔開的層。

11.根據權利要求10所述的制造電子裝置的方法，其中所述方法進一步包括以下步驟：

e)沉積所述半導體結構的第一金屬化層，

f)在所述電容器的所述頂板上及所述第二電介質層上沉積第三電介質層，其中所述第三電介質層沉積于所述第二電介質層上在除由所述電容器的所述底板的所述橫向尺寸界定的區域之外的區域中，

g)沉積所述半導體結構的第二金屬化層，

且其中在沉積所述第一金屬化層(步驟e))之后且在沉積所述第二金屬化層(步驟g))之前執行步驟a)到d)。

12.根據權利要求11所述的制造電子裝置的方法，其中在沉積所述第三電介質層(步驟f))之前執行步驟a)到d)。