[發明專利]功率半導體模塊

有效

• 申請號: 201310488724.0
• 申請日: 2013-10-17
• 公開（公告）號: CN103779339B
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發明（設計）人: 彼得·貝克達爾;于爾根·斯蒂格
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/48
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 楊靖,車文

1.一種功率半導體模塊，所述功率半導體模塊具有基底(2)，其中，所述基底(2)具有絕緣材料體(4)和布置在所述絕緣材料體(4)上的、導電的、結構化的線路層(5)，所述線路層(5)構造出彼此電絕緣地布置的導體軌跡(5a、5b)，其中，在第一導體軌跡(5a)上布置有第一功率半導體結構元件(T1)，所述第一功率半導體結構元件具有第一和第二負載電流接頭(C、E)，并且所述第一功率半導體結構元件(T1)的第一負載電流接頭(C)與所述第一導體軌跡(5a)導電連接，其中，在第二導體軌跡(5b)上布置有第二功率半導體結構元件(T2)，所述第二功率半導體結構元件具有第一和第二負載電流接頭(C、E)，并且所述第二功率半導體結構元件(T2)的第一負載電流接頭(C)與所述第二導體軌跡(5b)導電連接，其中，所述功率半導體模塊(1a、1b、1c、1d、1e、1f)具有第一和第二直流電壓負載電流接頭元件(14、15)，其中，所述第一和第二功率半導體結構元件(T1、T2)沿所述基底(2)的橫向的第一方向(X)布置，并且所述第一和第二直流電壓負載電流接頭元件(14、15)相繼布置，其中，所述功率半導體模塊(1a、1b、1c、1d、1e、1f)具有薄膜復合結構(11)，所述薄膜復合結構具有第一金屬薄膜層(8)和結構化的第二金屬薄膜層(10)以及布置在所述第一與第二金屬薄膜層(8、10)之間的電絕緣薄膜層(9)，其中，所述第一功率半導體結構元件(T1)的第二負載電流接頭(E)與所述第二金屬薄膜層(10)導電連接，并且所述第二金屬薄膜層(10)與所述第二導體軌跡(5b)導電連接，其中，所述第二功率半導體結構元件(T2)的第二負載電流接頭(E)與所述第一金屬薄膜層(8)導電連接，其中，所述第一直流電壓負載電流接頭元件(14)與所述第一導體軌跡(5a)導電連接，而所述第二直流電壓負載電流接頭元件(15)與所述第一金屬薄膜層(8)導電連接，其中，所述第一和第二功率半導體結構元件(T1、T2)關于所述第一和第二直流電壓負載電流接頭元件(14、15)布置在共同的側(SE)上。

2.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述第一和第二直流電壓負載電流接頭元件(14、15)沿所述基底(2)的橫向的第一方向(X)布置，并且所述第一和第二直流電壓負載電流接頭元件(14、15)沿所述基底(2)的第一方向(X)相繼布置，其中，所述第一和第二功率半導體結構元件(T1、T2)沿所述基底(2)的第一方向(X)關于所述第一和第二直流電壓負載電流接頭元件(14、15)布置在共同的側(SE)上。

3.根據權利要求1或2所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述第一和第二功率半導體結構元件(T1、T2)構造成功率半導體開關。

4.根據權利要求1或2所述的功率半導體模塊，其特征在于，在所述第一導體軌跡(5a)上布置有第三功率半導體結構元件(D1)，所述第三功率半導體結構元件具有第一和第二負載電流接頭(K、A)，并且所述第三功率半導體結構元件(D1)的第一負載電流接頭(K)與所述第一導體軌跡(5a)導電連接，其中，在所述第二導體軌跡(5b)上布置有第四功率半導體結構元件(D2)，所述第四功率半導體結構元件具有第一和第二負載電流接頭(K、A)，并且所述第四功率半導體結構元件(D2)的第一負載電流接頭(K)與所述第二導體軌跡(5b)導電連接，其中，所述第三和第四功率半導體結構元件(D1、D2)沿所述基底(2)的第一方向(X)布置，其中，所述第三功率半導體結構元件(D1)的第二負載電流接頭(A)與所述第二金屬薄膜層(10)導電連接，其中，所述第四功率半導體結構元件(D2)的第二負載電流接頭(A)與所述第一金屬薄膜層(8)導電連接，其中，所述第一、第二、第三和第四功率半導體結構元件(T1、T2、D1、D2)關于所述第一和第二直流電壓負載電流接頭元件(14、15)布置在共同的側(SE)上。

5.根據權利要求4所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述第一、第二、第三和第四功率半導體結構元件(T1、T2、D1、D2)沿所述基底(2)的第一方向(X)關于所述第一和第二直流電壓負載電流接頭元件(14、15)布置在共同的側(SE)上。

6.根據權利要求4所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述第三和第四功率半導體結構元件(D1、D2)構造成二極管。