[發(fā)明專利]一種絲網(wǎng)印刷背鈍化電池及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310488411.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-10-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103618009A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-03-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡永梅;陳康平;金浩;黃琳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0224 | 分類號(hào): | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18;B41M1/12 |
| 代理公司: | 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 33100 | 代理人: | 吳關(guān)炳 |
| 地址: | 314416 浙江省嘉*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 絲網(wǎng) 印刷 鈍化 電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種絲網(wǎng)印刷背鈍化電池,其正表面具有發(fā)射結(jié)、減反射膜和正面電極,背表面為拋光表面并沉積或生長(zhǎng)有鈍化層,在鈍化層之上鍍有氮化硅膜,其特征在于,背面還具有絲網(wǎng)印刷燒穿性銀鋁漿而形成的鋁硅合金層和局域鋁背場(chǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲網(wǎng)印刷背鈍化電池,其特征在于,所述的鈍化層為Al2O3鈍化膜或SiO2鈍化膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲網(wǎng)印刷背鈍化電池,其特征在于,所述的氮化硅膜的厚度為30nm至200nm,折射率為1.9至2.3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲網(wǎng)印刷背鈍化電池,其特征在于,所述的鋁背場(chǎng)為柵指型,由主柵和副柵組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的絲網(wǎng)印刷背鈍化電池,其特征在于,所述的主柵由三根柵線組成,柵線為直通式或分段式,柵線的寬度與正面電極中的主柵線相同,三根柵線之間的間距與正面的主柵線間距相同;所述的副柵為直通式柵線,柵線的寬度為60μm至200μm,柵線的間距為0.8mm至3.0mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絲網(wǎng)印刷背鈍化電池的制備方法,首先通過(guò)制絨、擴(kuò)散、刻蝕、拋光、鈍化和鍍膜,使硅片正表面具有發(fā)射結(jié)和減反射膜,背表面為拋光表面并沉積或生長(zhǎng)有鈍化層,在鈍化層之上鍍有氮化硅膜,然后制備局域接觸和局域鋁背場(chǎng),再印刷正面電極并經(jīng)烘干和燒結(jié)完成背鈍化電池的制備;其特征在于,所述的制備局域接觸和局域鋁背場(chǎng)是在背面采用具有特別圖形的網(wǎng)版絲網(wǎng)印刷燒穿性銀鋁漿,以形成鋁硅合金層和局域鋁背場(chǎng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的絲網(wǎng)印刷背鈍化電池的制備方法,其特征在于,在燒結(jié)過(guò)程中,絲網(wǎng)印刷的燒穿性銀鋁漿將背面鈍化層和氮化硅膜燒穿并與硅基底接觸形成鋁硅合金層和局域鋁背場(chǎng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的絲網(wǎng)印刷背鈍化電池的制備方法,其特征在于,所述的具有特別圖形的網(wǎng)版的圖形為柵指型,并且使用燒穿性銀鋁漿,從而將獨(dú)立的背面電極和背面電場(chǎng)的印刷工藝相結(jié)合;而且在經(jīng)過(guò)燒結(jié)后形成由主柵和副柵組成的柵指型的鋁背場(chǎng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的絲網(wǎng)印刷背鈍化電池的制備方法,其特征在于,所述的主柵由三根柵線組成,柵線為直通式或分段式,柵線的寬度與正面電極中的主柵線相同,三根柵線之間的間距與正面的主柵線間距相同;所述的副柵為直通式柵線,柵線的寬度為60μm至200μm,柵線的間距為0.8mm至3.0mm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





