[發(fā)明專利]一種制備拓?fù)浣^緣體Bi2Se3薄膜的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310487902.8
• 申請(qǐng)日: 2013-10-17
• 公開（公告）號(hào): CN103526297A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張敏;趙勇;呂莉;魏占濤;羊新勝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西南交通大學(xué)
• 主分類號(hào): C30B29/46
• 分類號(hào): C30B29/46;C30B23/00;C30B33/02
• 代理公司: 成都博通專利事務(wù)所 51208
• 代理人: 陳樹明

1.一種制備拓?fù)浣^緣體Bi₂Se₃薄膜的方法，其步驟是：?

a、單晶塊材的制備：高純鉍粉（Bi）和高純硒粉(Se)按2:3.2的摩爾比，在氬氣手套箱中稱量，研磨，壓片；再封入氣壓小于1×10^-2Pa的真空石英管中，置于管式爐中進(jìn)行氬氣保護(hù)氣氛下的燒結(jié)，然后淬火，即得到Bi₂Se₃單晶塊材；?

b、前驅(qū)粉末制備：將a步的Bi₂Se₃單晶塊材重新放入氬氣手套箱中研磨成粉末；?

c、薄膜的蒸鍍：將b步制得的粉末放入蒸發(fā)鍍膜機(jī)中，將粉末均勻蒸發(fā)到基片上，形成薄膜后取出；?

d、后退火處理：將c步所得薄膜再次封入氣壓小于1×10^-2Pa的真空石英管中，置于管式爐中進(jìn)行氬氣保護(hù)氣氛下的后退火處理，然后淬火，即在基片上得到Bi₂Se₃薄膜。?

2.如權(quán)利要求1所述的制備拓?fù)浣^緣體Bi₂Se₃薄膜的方法，其特征是：所述a步的高純鉍粉（Bi）和高純硒粉(Se)的純度均為99.999%。?

3.如權(quán)利要求1所述的制備拓?fù)浣^緣體Bi₂Se₃薄膜的方法，其特征是，所述a步的管式爐中燒結(jié)的溫度和時(shí)間為：升溫5個(gè)小時(shí)至850℃，在850℃下保溫12小時(shí)，再經(jīng)50小時(shí)均勻降溫至620℃，再保溫5小時(shí)。?

4.如權(quán)利要求1所述的制備拓?fù)浣^緣體Bi₂Se₃薄膜的方法，其特征是，所述d步中后退火處理的溫度和時(shí)間為：以2℃/min升至300℃-450℃，再保溫2-5小時(shí)。?

5.如權(quán)利要求1所述的制備拓?fù)浣^緣體Bi₂Se₃薄膜的方法，其特征是，所述a和c步中的淬火的具體操作均是將真空石英管推入冷水中。?