[發(fā)明專利]陶瓷表面封裝LED的結(jié)構(gòu)及其封裝方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310487707.5
• 申請(qǐng)日: 2013-10-17
• 公開（公告）號(hào): CN103606615A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高艷敏;冼鈺倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上舜照明（中國(guó)）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 彭英

1.一種陶瓷表面封裝LED的結(jié)構(gòu)，包括陶瓷體，所述陶瓷體上通過LED芯片固定膠固定安裝LED芯片，且陶瓷體上設(shè)置有燒結(jié)金屬電極線路，其特征在于：所述燒結(jié)金屬電極線路上通過導(dǎo)電元件固定膠固定連接有導(dǎo)電元件；所述LED芯片通過金屬絲與導(dǎo)電元件連接；所述的導(dǎo)電元件固定膠具有導(dǎo)電性能。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷表面封裝LED的結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的導(dǎo)電元件的上表面、下表面均有金屬焊盤。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷表面封裝LED的結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的導(dǎo)電元件為發(fā)光二極管,定義為A型發(fā)光二極管；所述的A型發(fā)光二極管為如下的一種或兩種：底部為P型電極、上部有N型電極的發(fā)光二極管，底部為N型電極、上部有P型電極的發(fā)光二極管；而上述的LED芯片定義為B型發(fā)光二極管，所述的B型發(fā)光二極管為藍(lán)寶石襯底結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷表面封裝LED的結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述A型發(fā)光二極管的輻射峰值波長(zhǎng)在550nm~700nm之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷表面封裝LED的結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述A型發(fā)光二極管的輻射峰值波長(zhǎng)在430nm~475nm之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷表面封裝LED的結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的導(dǎo)電元件固定膠為焊料或者導(dǎo)電漿料。

7.一種權(quán)利要求6所述陶瓷表面封裝LED結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：首先，分別在陶瓷表面燒結(jié)金屬電極線路和固定安裝LED芯片，并在金屬電極線路的表面通過焊料或者導(dǎo)電漿料焊接固定導(dǎo)電元件；然后，采用金屬絲將LED芯片和導(dǎo)電元件連接；最后，采用硅膠包裹導(dǎo)電元件、LED芯片以及金屬絲。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述陶瓷表面封裝LED結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：所述的導(dǎo)電元件為發(fā)光二極管；所述的發(fā)光二極管為如下的一種或兩種：底部為P型電極、上部有N型電極的發(fā)光二極管，底部為N型電極、上部有P型電極的發(fā)光二極管；而LED芯片則為藍(lán)寶石襯底的芯片。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述陶瓷表面封裝LED結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：所述發(fā)光二極管的輻射峰值波長(zhǎng)在550nm~700nm之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述制作述陶瓷表面封裝LED結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于：所述發(fā)光二極管的輻射峰值波長(zhǎng)在430nm~475nm之間。