[發明專利]一種帶叉指耦合控制的橋式跨接雙頻微帶天線

有效

• 申請號: 201310487403.9
• 申請日: 2013-10-16
• 公開（公告）號: CN103500879A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發明（設計）人: 游佰強;薛團輝;李杰;周建華
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: H01Q9/04
• 分類號: H01Q9/04;H01Q5/01
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200
• 代理人: 劉勇

1.一種帶叉指耦合控制的橋式跨接雙頻微帶天線，其特征在于,由下至上設有接地板、介質基板和輻射貼片；

接地板為導體，輻射貼片為金屬輻射貼片，輻射貼片上設有左右對稱的2個饋電孔，在2個饋電孔上分別設有饋電接線端子，輻射貼片通過同軸線內芯穿過饋電孔與介質基板連接，同軸線外芯與接地板連接；輻射貼片的形狀為方形，輻射貼片的4個角部均設有L字形帶叉指通槽，L字形帶叉指通槽的內側和外側均設有間隔布置的叉指槽，L字形帶叉指通槽的內側所設叉指構成內框叉指方形耦合陣列，L字形帶叉指通槽的外側所設叉指構成外框叉指方形耦合陣列，相鄰的L字形帶叉指通槽形成橋式跨接，以4個L字形帶叉指通槽為分界，輻射貼片形成內框和外框，即輻射貼片形成雙饋雙框式結構。

2.如權利要求1所述的一種帶叉指耦合控制的橋式跨接雙頻微帶天線，其特征在于所述接地板為銅接地板；所述輻射貼片為銅輻射貼片。

3.如權利要求1所述的一種帶叉指耦合控制的橋式跨接雙頻微帶天線，其特征在于所述介質基板為陶瓷板。

4.如權利要求3所述的一種帶叉指耦合控制的橋式跨接雙頻微帶天線，其特征在于所述陶瓷板為相對介電常數大于6的陶瓷板或環氧復合陶瓷板。

5.如權利要求1所述的一種帶叉指耦合控制的橋式跨接雙頻微帶天線，其特征在于所述接地板的形狀為正方形，接地板的尺寸如下：長和寬均為50mm；所述介質基板采用相對介電常數為9.8±5%的復合陶瓷介質基板，介質基板的形狀為正方形，介質基板的尺寸如下：長和寬均為29.8mm，厚度為3±0.01mm；所述輻射貼片形狀為正方形，輻射貼片的尺寸如下：內框的邊長為20mm，外框的邊長為28.8mm，L字形帶叉指通槽的外側叉指槽的底部與輻射貼片外沿的間距為0.7mm；所述L字形帶叉指通槽的尺寸如下：所述外框叉指方形耦合陣列中的每個叉指的寬度為1mm，相鄰叉指的間距為1mm；所述內框叉指方形耦合陣列中的每個叉指的寬度為1.2mm，相鄰叉指的間距為0.3mm；外框叉指方形耦合陣列與內框叉指方形耦合陣列之間的間距1.5mm。

6.如權利要求1所述的一種帶叉指耦合控制的橋式跨接雙頻微帶天線，其特征在于所述輻射貼片的外沿對角線上的2個角為斜邊角，斜邊的邊長為0.71mm。

7.如權利要求1所述的一種帶叉指耦合控制的橋式跨接雙頻微帶天線，其特征在于外框叉指方形耦合陣列與內框叉指方形耦合陣列之間的4個跨接橋的寬度均為2mm。

8.如權利要求1所述的一種帶叉指耦合控制的橋式跨接雙頻微帶天線，其特征在于所述饋電孔的直徑為0.5±0.01mm，饋電孔的深度為3mm。

9.如權利要求1所述的一種帶叉指耦合控制的橋式跨接雙頻微帶天線，其特征在于2個饋電孔中心線的距離為8mm。