[發(fā)明專利]一種移動(dòng)終端的存儲(chǔ)器壞塊處理方法及移動(dòng)終端

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310487188.2
• 申請(qǐng)日: 2013-10-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103544112A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊維琴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL通訊（寧波）有限公司
• 主分類號(hào): G06F12/02
• 分類號(hào): G06F12/02
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種移動(dòng)終端的存儲(chǔ)器壞塊處理方法，其特征在于，包括：

A，當(dāng)某一個(gè)應(yīng)用程序被打開(kāi)時(shí)，獲取該應(yīng)用在掉電不易失存儲(chǔ)器中的地址及大小，并拷貝該應(yīng)用程序至掉電易失存儲(chǔ)器中運(yùn)行，同時(shí)記錄該應(yīng)用程序在掉電易失存儲(chǔ)器中的地址及大?。?/p>

B，當(dāng)該應(yīng)用程序打開(kāi)失敗，則說(shuō)明掉電不易失存儲(chǔ)器或掉電易失存儲(chǔ)器中存在壞塊；并再將該應(yīng)用程序拷貝到掉電易失存儲(chǔ)器中另外地址中運(yùn)行，如果該應(yīng)用打開(kāi)成功則說(shuō)明掉電易失存儲(chǔ)器中存在壞塊，如果該應(yīng)用打開(kāi)失敗則說(shuō)明掉電不易失存儲(chǔ)器中存在壞塊；

C，根據(jù)上述步驟B的結(jié)論，判斷掉電不易失存儲(chǔ)器或掉電易失存儲(chǔ)器中的壞塊的地址并記錄下來(lái)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述移動(dòng)終端的存儲(chǔ)器壞塊處理方法，其特征在于，所述掉電不易失存儲(chǔ)器包括FLASH、EEPROM，所述掉電易失存儲(chǔ)器包括DRAM、SDRAM。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述移動(dòng)終端的存儲(chǔ)器壞塊處理方法，其特征在于，所述步驟A具體包括：

A1、當(dāng)在移動(dòng)終端中選擇打開(kāi)一個(gè)應(yīng)用時(shí)，移動(dòng)終端中央處理器在FLASH中獲取該應(yīng)用所在起始地址FLASHAddr及大小FLASHLen；

A2、將該應(yīng)用程序從掉電不易失存儲(chǔ)器FLASH中拷貝到掉電易失存儲(chǔ)器RAM中運(yùn)行，并記錄在RAM中運(yùn)行該應(yīng)用的起始地址RAMAddr及大小RAMLen。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述移動(dòng)終端的存儲(chǔ)器壞塊處理方法，其特征在于，所述步驟B具體包括：

B1、如果應(yīng)用程序打開(kāi)失敗，則認(rèn)為是FLASH中存放該應(yīng)用的位置有壞塊或RAM中運(yùn)行該用應(yīng)用的位置有壞塊；

B2、中央處理器再次從FLASH?中將該應(yīng)用拷貝到RAM另外地址中運(yùn)行；

B3、如果應(yīng)用程序成功打開(kāi)則判定RAM中存在壞塊，如果應(yīng)用程序仍然打開(kāi)失敗則判定FLASH中存在壞塊。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述移動(dòng)終端的存儲(chǔ)器壞塊處理方法，其特征在于，所述步驟C具體包括

C1、若檢測(cè)到FLASH中有壞塊，則依次對(duì)FLASHAddr開(kāi)始大小為FLASHLen的區(qū)域進(jìn)行全部寫(xiě)0xFF操作，然后依次讀取，如果哪個(gè)位讀出來(lái)不是0xFF則說(shuō)明該地址為壞塊；

C2、再依次對(duì)FLASHAddr開(kāi)始大小為FLASHLen的區(qū)域進(jìn)行全部寫(xiě)0x00操作，然后依次讀取，如果哪個(gè)位讀出來(lái)不是0x00則說(shuō)明該地址為壞塊；

C3、將上述電不易失存儲(chǔ)器或掉電易失存儲(chǔ)器中的壞塊的地址記錄并保存。

6.一種移動(dòng)終端，其特征在于，包括：

存儲(chǔ)器讀寫(xiě)模塊，用于當(dāng)某一個(gè)應(yīng)用程序被打開(kāi)時(shí)，獲取該應(yīng)用在掉電不易失存儲(chǔ)器中的地址及大小，并拷貝該應(yīng)用程序至掉電易失存儲(chǔ)器中運(yùn)行，同時(shí)記錄該應(yīng)用程序在掉電易失存儲(chǔ)器中的地址及大??；

壞塊判斷處理模塊，用于當(dāng)該應(yīng)用程序打開(kāi)失敗，則說(shuō)明掉電不易失存儲(chǔ)器或掉電易失存儲(chǔ)器中存在壞塊；并再將該應(yīng)用程序拷貝到掉電易失存儲(chǔ)器中另外地址中運(yùn)行，如果該應(yīng)用打開(kāi)成功則說(shuō)明掉電易失存儲(chǔ)器中存在壞塊，如果該應(yīng)用打開(kāi)失敗則說(shuō)明掉電不易失存儲(chǔ)器中存在壞塊；

壞塊記錄模塊，用于判斷掉電不易失存儲(chǔ)器或掉電易失存儲(chǔ)器中的壞塊的地址并記錄下來(lái)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的移動(dòng)終端，其特征在于，所述掉電不易失存儲(chǔ)器包括FLASH、EEPROM，所述掉電易失存儲(chǔ)器包括DRAM、SDRAM。