[發(fā)明專利]太赫茲圓極化雙層90°波紋喇叭天線及其在體硅MEMS工藝下的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310486102.4 | 申請日: | 2013-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN103531910A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 盧宏達;劉埇;趙鵬飛;李慶;劉嘉琳;呂昕 | 申請(專利權(quán))人: | 北京理工大學 |
| 主分類號: | H01Q13/02 | 分類號: | H01Q13/02;H01Q15/24;H01Q21/24;B81C3/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100081 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 赫茲 極化 雙層 90 波紋 喇叭天線 及其 mems 工藝 制備 方法 | ||
1.太赫茲圓極化雙層90°波紋喇叭天線,其特征在于:天線結(jié)構(gòu)由兩部分組成:90°波紋喇叭和90°波紋圓極化器;90°波紋喇叭是一個線極化天線,由矩形波導饋電,在波導口面上添加一個波紋,形成90°波紋喇叭天線;在90°波紋喇叭天線上方,添加90°波紋圓極化器,該圓極化器由兩部分組成:極化轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)、兩層刻蝕波紋;極化轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)形狀為位置相對且中心對稱的兩個近似扇形結(jié)構(gòu);兩層刻蝕波紋中,位于內(nèi)側(cè)的波紋較寬,外側(cè)的較窄。
2.太赫茲圓極化雙層90°波紋喇叭天線在體硅MEMS工藝下的制備方法,其特征在于步驟為:
(1)選取一個雙面拋光SOI硅片,雙面熱生長氧化層,利用掩膜版分別在雙面光刻形成需要刻蝕的90°線極化波紋喇叭天線圖形窗口,并分別利用ICP干法刻蝕形成饋電波導和一層90°波紋;
(2)選取另一個雙面拋光SOI硅片,利用與(1)中相同的工藝方式,刻蝕形成加載雙層90°波紋的太赫茲圓極化器結(jié)構(gòu);
(3)利用濺射金工藝完成兩片硅片表面的金屬化,準備鍵合;
(4)對兩片硅片進行對位后,利用金-金熱壓鍵合技術(shù),將兩個圓片鍵合在一起,并通過劃片得到獨立的天線單元加工成品。
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