[發(fā)明專利]LPCVD設(shè)備的耗散非脆弱控制方法與裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310485876.5 | 申請日: | 2013-10-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103529705A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王峰;張芳 | 申請(專利權(quán))人: | 北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G05B13/04 | 分類號(hào): | G05B13/04;G05D23/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
| 地址: | 100015 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | lpcvd 設(shè)備 耗散 脆弱 控制 方法 裝置 | ||
1.一種LPCVD設(shè)備的耗散非脆弱控制方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:
1)對LPCVD設(shè)備建立溫度控制系統(tǒng)模型;
2)對已建立的系統(tǒng)模型中加入非脆弱狀態(tài)反饋控制器模型,建立含參耗散非脆弱控制器模型;
3)使用二次能量供給函數(shù)對已建立的含參耗散非脆弱控制器模型進(jìn)行穩(wěn)定性分析;
4)在含參耗散非脆弱控制器模型穩(wěn)定時(shí),對含參耗散非脆弱控制器模型中的變量進(jìn)行求解,確定耗散非脆弱控制器模型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LPCVD設(shè)備的耗散非脆弱控制方法,其特征在于,所述步驟1)的溫度控制系統(tǒng)模型的構(gòu)建方法為使用狀態(tài)空間表達(dá)式進(jìn)行構(gòu)建。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種LPCVD設(shè)備的耗散非脆弱控制方法,其特征在于,使用公式
x(t+1)=Ax(t)+Bu(t)+[f(x(t))-Ax(t)]+[g(x(t))-B]u(t)
y(t)=Cx(t)??????????????????????(1)
構(gòu)建含有建模誤差的溫度控制系統(tǒng)模型,
其中f(x)和g(x)為控制系統(tǒng)的非線性部分,x(t)為控制系統(tǒng)的狀態(tài)變量,C為系統(tǒng)輸出矩陣,y(t)為控制系統(tǒng)的輸出,u(t)為控制系統(tǒng)的輸入,A為系統(tǒng)狀態(tài)矩陣,B為系統(tǒng)輸入矩陣,[f(x(t))-Ax(t)]+[g(x(t))-B]u(t)即為建模誤差w(t)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種LPCVD設(shè)備的耗散非脆弱控制方法,其特征在于,所述步驟2)加入的非脆弱狀態(tài)反饋控制器模型為u(t)=(K+ΔK)x(t),其中K為反饋增益矩陣,ΔK為增益不確定項(xiàng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種LPCVD設(shè)備的耗散非脆弱控制方法,其特征在于,所述步驟2)中使用增益不確定項(xiàng)ΔK的取值方法為ΔK=ηKp且||η||≤1,其中,Kp為比例反饋增益矩陣。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種LPCVD設(shè)備的耗散非脆弱控制方法,其特征在于,所述步驟3)中使用
進(jìn)行穩(wěn)定性分析,
其中Q,S,R是適當(dāng)維實(shí)矩陣,Q和R是對稱矩陣,υ為控制系統(tǒng)耗散性,V(t)為變量,ΔV(t)為V(t)對時(shí)間的差分。
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