[發明專利]一種射頻LDMOS器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201310485697.1 | 申請日： | 2013-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN104576731B | 公開（公告）日： | 2018-04-17 |
| 發明（設計）人： | 遇寒;李昊;周正良 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司31211 | 代理人： | 殷曉雪 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 射頻 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種射頻LDMOS器件，在外延層中具有體區和漂移區；在體區中具有源區；在漂移區中具有漏區；其特征是：
在部分漂移區之上、或者在部分漂移區和部分外延層之上具有墊氧化層；
在部分源區和部分體區之上、或者在部分源區和部分體區和部分外延層之上具有柵氧化層；
墊氧化層的厚度大于柵氧化層的厚度；
在墊氧化層和部分的柵氧化層之上具有多晶硅魚骨柵柵極；魚骨柵柵極由主體、從主體垂直延伸出來的一個或多個第一延伸部、從主體垂直延伸出來的一個或多個第二延伸部所組成；第二延伸部的延伸距離比第一延伸部的延伸距離更大；魚骨柵柵極主體僅在柵氧化層的上方，魚骨柵柵極的各個延伸部僅在墊氧化層的上方。
2.根據權利要求1所述的射頻LDMOS器件，其特征是，柵極主體的上表面低于柵極的各個延伸部的上表面。
3.根據權利要求1所述的射頻LDMOS器件，其特征是，在柵極上方具有連續的一塊金屬硅化物，其呈臺階狀。
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