[發明專利]一種具有中紅外寬帶發光性能的晶體材料及其制備方法無效
| 申請號： | 201310485662.8 | 申請日： | 2013-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN103526294A | 公開（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發明（設計）人： | 唐慧麗;蔣先濤;蘇良碧;徐軍;吳鋒;汪傳勇;姜大朋;王靜雅;錢小波 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C30B29/32 | 分類號： | C30B29/32;C09K11/74 |
| 代理公司： | 上海海頌知識產權代理事務所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 紅外 寬帶 發光 性能 晶體 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有中紅外寬帶發光性能的晶體材料，其特征在于：是在Bi12GeO20晶體中摻雜了2～4μm波段內不具有發光性能的金屬離子。
2.如權利要求1所述的晶體材料，其特征在于：所述金屬離子選自Al3+、Mg2+、Ca2+和Mo6+中的一種。
3.一種如權利要求1所述的晶體材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
a)按Bi12GeO20的化學計量比稱取Bi2O3粉體和GeO2粉體后，加入摻雜粉體，混合均勻；
b)將步驟a)中得到的混合粉體制成坯體，在500～800℃下燒結5～20小時后進行研磨，得到有摻雜的Bi12GeO20粉體；
c)將步驟b)中得到的Bi12GeO20粉體制備成中紅外寬帶發光晶體材料。
4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述摻雜粉體的加量為GeO2粉體的摩爾數的0.1～10%。
5.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于：所述摻雜粉體選自Al2O3、MgO、CaO和MoO3中的一種。
6.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于：步驟c)中將Bi12GeO20粉體制備成中紅外寬帶發光晶體材料的方法采用提拉法、坩堝下降法和溫度梯度法中的一種。
7.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述的提拉法的工藝條件控制為：坩堝材料選擇貴金屬單質，體系用惰性氣體保護，提拉速度為1～4毫米/小時，轉速為18～28轉/分鐘。
8.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述的坩堝下降法的工藝條件控制為：坩堝材料選擇貴金屬單質或鉬單質，化料溫度為950～1050℃，晶體生長區域溫度梯度為20～40℃/厘米，晶體生長時坩堝下降速度為1～4毫米/小時。
9.如權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述的溫度梯度法的工藝條件控制為：坩堝材料選擇貴金屬單質，體系為無氧條件，化料溫度為950～1050℃，晶體生長區域的溫度梯度為20～40℃/厘米，晶體生長時溫度下降速度為1～5℃/小時。
10.如權利要求7或8或9所述的制備方法，其特征在于：所述貴金屬為鉑或銥。
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