[發明專利]等離子體室中的可調式接地平面無效
| 申請號: | 201310485158.8 | 申請日: | 2009-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN103594340A | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發明(設計)人: | 卡希克·賈納基拉曼;托馬斯·諾瓦克;胡安·卡洛斯·羅奇-阿爾維斯;馬克·A·福多爾;戴爾·R·杜波依斯;阿米特·班塞爾;穆罕默德·阿尤布;埃勒·Y·朱科;維斯韋斯瓦倫·西瓦拉瑪克里施南;希姆·M·薩德 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/205 | 分類號: | H01L21/205;H01L21/26;H01L21/30;H05H1/34 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 中的 調式 接地 平面 | ||
1.一種用于處理基板的設備,包含:
腔室,所述腔室具有側壁;
基板支撐件,所述基板支撐件配置在所述腔室中;
一或更多個電極,所述一或更多個電極耦合至所述基板支撐件;
噴頭組件,所述噴頭組件具有面板,所述面板相對于所述基板支撐件;及
一或更多個接地元件,所述一或更多個接地元件在所述側壁中,其中所述基板支撐件及所述面板共同界定處理空間,且所述一或更多個電極用于在所述處理空間內產生具有軸向及徑向分量的可調整電場。
2.一種用于處理基板的設備,包含:
基板支撐件;
一或更多個電極,所述一或更多個電極耦合至所述基板支撐件;
噴頭組件,所述噴頭組件具有面板,所述面板相對于所述基板支撐件;及
一或更多個接地元件,所述一或更多個接地元件嵌入腔室的側壁中,其中所述基板支撐件及所述面板共同界定處理空間,且所述一或更多個電極用于在所述處理空間內產生具有軸向及徑向分量的可調整電場。
3.如權利要求1或2所述的設備,其中所述一或更多個電極配置在所述基板支撐件內。
4.如權利要求1或2所述的設備,其中所述一或更多個電極中的至少一個的一部分具有角度。
5.如權利要求1或2所述的設備,還包含耦合至所述一或更多個接地元件中的至少一個的一或更多個可調整電路。
6.如權利要求1或2所述的設備,其中所述面板被一或更多個絕緣體劃分為多個分隔區域。
7.如權利要求5所述的設備,還包含耦合至所述一或更多個電極中的至少一個的一或更多個可調整電路。
8.如權利要求6所述的設備,還包含多個絕緣體,所述多個絕緣體配置在所述一或更多個接地元件之間。
9.一種用于在處理腔室中支撐基板的設備,包含:
支撐構件,所述支撐構件具有支撐表面;
熱控制元件,配置在所述支撐構件內;
電極,配置在所述支撐構件內,其中所述電極具有第一部分及第二部分,所述第一部分界定第一平面,所述第二部分界定角度表面,并且所述角度表面與所述第一平面相交;及
調整器,耦合至所述電極。
10.如權利要求9所述的設備,還包含電子濾波器,所述電子濾波器耦合至所述電極。
11.如權利要求9所述的設備,其中所述支撐表面界定第二平面,且所述第一平面與所述第二平面實質平行。
12.如權利要求9所述的設備,其中所述電極為射頻篩網。
13.如權利要求9所述的設備,其中所述角度表面遠離所述支撐表面彎折。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





