[發(fā)明專利]發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310484911.1
• 申請日: 2013-10-16
• 公開（公告）號: CN103779469A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李善均
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22;H01S5/30
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬志

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方案涉及發(fā)光器件和具有該發(fā)光器件的照明裝置。

背景技術(shù)

第III-V族氮化物半導(dǎo)體由于其物理和化學(xué)特性而已經(jīng)被廣泛用作用于發(fā)光器件（如發(fā)光二極管（LED）或激光二極管（LD））的主要材料。通常，第III-V族氮化物半導(dǎo)體包含具有In_xAl_yGa_1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，以及0≤x+y≤1）的組成式的半導(dǎo)體材料。

LED為通過利用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號轉(zhuǎn)換成紅外線或光來發(fā)送/接收信號的半導(dǎo)體器件。LED也被用作光源。

利用氮化物半導(dǎo)體材料的LED或LD主要用于發(fā)光器件以提供光。例如，LED或LD被用作用于各種產(chǎn)品（如移動電話的按鍵發(fā)光部分、電子廣告牌以及照明裝置）的光源。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方案提供一種發(fā)光器件，其包括具有設(shè)置在多個(gè)凹坑中的金屬化合物的半導(dǎo)體層。

實(shí)施方案提供一種發(fā)光器件，其包括：與襯底的凸部相對應(yīng)的多個(gè)第一凹坑；在第一凹坑之間的第二凹坑；以及具有金屬化合物并且設(shè)置在第一凹坑和第二凹坑中的半導(dǎo)體層。

實(shí)施方案提供一種發(fā)光器件，其中設(shè)置在半導(dǎo)體層的凹坑中的金屬化合物的頂表面被設(shè)置在與半導(dǎo)體層的位置相同或比半導(dǎo)體層的位置深的位置。

實(shí)施方案提供一種發(fā)光器件，其包括設(shè)置在半導(dǎo)體層的具有傾斜外周表面的凹坑中的金屬化合物。

實(shí)施方案提供一種發(fā)光器件，其中在半導(dǎo)體層中的第一凹坑的體積大于第二凹坑的體積。

實(shí)施方案提供一種包括發(fā)光器件的照明裝置。

根據(jù)實(shí)施方案，提供了一種發(fā)光器件，其包括：具有多個(gè)凸部的襯底；設(shè)置在襯底的頂表面上的第一半導(dǎo)體層；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的頂表面中并且與凸部重疊的多個(gè)第一凹坑；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的頂表面中并且設(shè)置在凸部之間的區(qū)域中的多個(gè)第二凹坑；設(shè)置在第一凹坑中的與凸部的上部接觸的第一金屬化合物；設(shè)置在第二凹坑中的第二金屬化合物；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層；以及設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括在第二半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的有源層以及在有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。

根據(jù)另一實(shí)施方案，提供了一種發(fā)光器件，其包括：包含透光材料并且具有多個(gè)凸部的襯底；設(shè)置在襯底的頂表面上的第一半導(dǎo)體層；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的頂表面中并且與凸部重疊的多個(gè)第一凹坑；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的頂表面中并且設(shè)置在凸部之間的區(qū)域中的多個(gè)第二凹坑；設(shè)置在第一凹坑中的與凸部的上部接觸的第一金屬化合物；設(shè)置在第二凹坑中的第二金屬化合物；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層；以及設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括在第二半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的有源層以及在有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，第一金屬化合物和第二金屬化合物包含與第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的材料不同的材料，并且每個(gè)第一金屬化合物具有比每個(gè)第二金屬化合物的體積大的體積。

根據(jù)另一實(shí)施方案，提供了一種發(fā)光器件，其包括：包含透光材料并且具有多個(gè)凸部的襯底；從襯底的底表面突出的多個(gè)突起；設(shè)置在襯底的頂表面上的第一半導(dǎo)體層；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的頂表面中以部分變成開放的每個(gè)凸部的多個(gè)第一凹坑；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層的頂表面中并且設(shè)置在凸部之間的區(qū)域中的多個(gè)第二凹坑；設(shè)置在第一凹坑中的與凸部的上部接觸的第一金屬化合物；設(shè)置在第二凹坑中的第二金屬化合物；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層；以及設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括在第二半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的有源層以及在有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，第一金屬化合物和第二金屬化合物包含與第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的材料不同的材料，并且每個(gè)第一金屬化合物具有比每個(gè)第二金屬化合物的體積大的體積，并且第一金屬化合物和第二金屬化合物包括具有與第一半導(dǎo)體層的頂表面在同一水平面上對準(zhǔn)的水平表面的頂表面和以相同角度傾斜的側(cè)表面。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件的側(cè)視圖。

圖2是圖1的局部放大視圖。

圖3是圖1的發(fā)光器件的俯視圖。

圖4是示出在制造根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的工藝中、在襯底上形成第一半導(dǎo)體層的實(shí)例的截面圖。

圖5是示出在圖4的第一半導(dǎo)體層上形成金屬化合物層的實(shí)例的截面圖。

圖6是在對圖5的金屬化合物層進(jìn)行蝕刻之后的截面圖。