[發明專利]碳納米管和超材料復合結構的太赫茲吸收層及制備方法

有效

• 申請號: 201310484486.6
• 申請日: 2013-10-16
• 公開（公告）號: CN103489943A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 黎威志;丁杰;敖天宏;孫斌瑋;樊霖;王軍
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/18;G01J5/10;G01J5/58
• 代理公司: 成都華典專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 徐豐;楊保剛

1.碳納米管和超材料復合結構的太赫茲吸收層，其特征在于：所述太赫茲吸收層從上到下依次為：頂層吸收層、介質層、金屬反射層和碳納米管薄膜層。

2.根據權利要求1所述的碳納米管和超材料復合結構的太赫茲吸收層，其特征在于：所述頂層吸收層由一定尺寸的周期性金屬圖形單元構成;?周期性金屬圖形單元由圓形金屬圈構成，金屬圈的厚度為300nm，半徑為70um，周期為75um。

3.根據權利要求2所述的碳納米管和超材料復合結構的太赫茲吸收層，其特征在于：所述頂層吸收層采用材料為鋁。

4.根據權利要求1所述的碳納米管和超材料復合結構的太赫茲吸收層，其特征在于：所述介質層采用材料為氮化硅，厚度為2um。

5.根據權利要求1所述的碳納米管和超材料復合結構的太赫茲吸收層，其特征在于：所述金屬反射層采用材料為鋁，厚度為100nm。

6.根據權利要求1所述的碳納米管和超材料復合結構的太赫茲吸收層，其特征在于：所述碳納米管薄膜層的厚度為3.5微米。

7.?一種根據權利要求1-6任一項所述的碳納米管和超材料復合結構的太赫茲吸收層的制備方法，其特征在于，制備工藝包括以下步驟：

①以碳納米管為原料，使用二甲基甲酰胺（DMF）作為分散劑，環氧樹脂、聚氨酯或聚乙烯醇縮丁醛(PVB)作為成膜樹脂，混合成溶液；?

②量取一定量的步驟①得到的混合溶液于探測器探測單元上，控制旋涂機的轉速，使其均勻旋涂在元器件上，反復以上工藝，直到到達需要的厚度和平整度要求，形成碳納米管薄膜層；

③在碳納米管薄膜層上用磁控濺射法制備金屬反射層，薄膜的厚度在0.1~1.5um范圍內；

④在金屬反射層上用PECVD設備和混頻濺射技術制備介質層；

⑤在介質層上面用光刻制備頂層吸收層，然后用磁控濺射法制備金屬鋁圖形，形成碳納米管和超材料復合結構的太赫茲吸收層。

8.根據權利要求7所述的碳納米管和超材料復合結構的太赫茲吸收層的制備方法，其特征在于，所述成膜樹脂為聚乙烯醇縮丁醛。