[發(fā)明專利]可抑制諧波的可控硅調(diào)壓裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310483769.9
• 申請(qǐng)日: 2013-10-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103532358A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭春雨;瞿文慧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廊坊英博電氣有限公司
• 主分類號(hào): H02M1/12
• 分類號(hào): H02M1/12
• 代理公司: 石家莊國(guó)為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 張二群

1.一種可抑制諧波的可控硅調(diào)壓裝置，其特征在于：包括過(guò)零檢測(cè)及觸發(fā)電路、可控硅調(diào)壓?jiǎn)卧猀1、變壓器T1和變壓器T2，三相輸入電壓LA、LB、LC相線第一路依次與變壓器T1和變壓器T2的低壓側(cè)串聯(lián)連接，三相輸入電壓LA、LB、LC相線的第二路分別與過(guò)零檢測(cè)及觸發(fā)電路的輸入端和可控硅調(diào)壓?jiǎn)卧猀1的輸入端連接，過(guò)零檢測(cè)及觸發(fā)電路的輸出端與可控硅調(diào)壓?jiǎn)卧猀1的控制端連接，所述可控硅調(diào)壓?jiǎn)卧猀1的輸出端分別與電壓器T1和電壓器T2的高壓側(cè)連接，變壓器T1的高壓側(cè)采用三角形連接，變壓器T2的高壓側(cè)采用星形連接且中性點(diǎn)懸空，所述調(diào)壓裝置通過(guò)過(guò)零檢測(cè)及觸發(fā)電路檢測(cè)每一相電壓的過(guò)零點(diǎn)，并延遲一個(gè)角度后產(chǎn)生觸發(fā)脈沖使可控硅調(diào)壓?jiǎn)卧猀1內(nèi)部對(duì)應(yīng)的晶閘管導(dǎo)通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可抑制諧波的可控硅調(diào)壓裝置，其特征在于：三相輸入電壓LA、LB、LC相線的輸出端設(shè)有低通濾波器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的可抑制諧波的可控硅調(diào)壓裝置，其特征在于：所述過(guò)零檢測(cè)及觸發(fā)電路包括三個(gè)結(jié)構(gòu)相同的檢測(cè)及觸發(fā)單元和MCU，所述可控硅調(diào)壓?jiǎn)卧猀1包括三只可控硅；檢測(cè)及觸發(fā)單元包括電阻R1-R4、二極管D1-D3、光耦U1、電容C1、變壓器T3、三極管Q3，電阻R1的一端接相線，另一端經(jīng)雙向穩(wěn)壓二極管D1接光耦U1的一個(gè)輸入端，光耦U1的另一個(gè)輸入端接零線；光耦輸出三極管Q2的集電極第一路接上拉電阻R2，光耦輸出三極管Q2的發(fā)射極接地，光耦輸出三極管Q2的集電極第二路接MCU的一個(gè)輸入端；MCU的一個(gè)輸出端電阻R4接三極管Q3的基極，三極管Q3的發(fā)射極接地，三極管Q3的集電極與變壓器T3的初級(jí)連接，電阻R3、電容C1和二極管D4構(gòu)成鉗位電路與變壓器T3的初級(jí)連接，變壓器T3設(shè)有二兩次級(jí)繞阻，每個(gè)繞阻通過(guò)兩個(gè)二極管整流，驅(qū)動(dòng)一只可控硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可抑制諧波的可控硅調(diào)壓裝置，其特征在于：所述低通濾波器包括串聯(lián)在LA、LB、LC相線輸出端的濾波電感Lx、并聯(lián)在輸出端的包括電容Cx和電阻r的RC支路和并聯(lián)在輸出端的包括電容Cy的電容支路。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可抑制諧波的可控硅調(diào)壓裝置，其特征在于：所述調(diào)壓裝置通過(guò)過(guò)零檢測(cè)及觸發(fā)電路檢測(cè)每一相電壓的過(guò)零點(diǎn)，并延遲0-180°后產(chǎn)生觸發(fā)脈沖使可控硅調(diào)壓?jiǎn)卧猀1內(nèi)部對(duì)應(yīng)的晶閘管導(dǎo)通。