[發明專利]一種KNN-LT無鉛壓電陶瓷及其制備方法有效
| 申請號: | 201310482696.1 | 申請日: | 2013-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN103601492A | 公開(公告)日: | 2014-02-26 |
| 發明(設計)人: | 談國強;郝航飛 | 申請(專利權)人: | 陜西科技大學 |
| 主分類號: | C04B35/495 | 分類號: | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 徐文權 |
| 地址: | 710021 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 knn lt 壓電 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明屬于鈣鈦礦結構無鉛壓電陶瓷領域,涉及一種KNN-LT無鉛壓電陶瓷及其制備方法。?
背景技術
自二十世紀四十年代中期發現鈦酸鋇陶瓷的壓電性以來,特別是具有優異壓電性能和高居里溫度的鋯鈦酸鉛Pb(Ti,Zr)O3陶瓷成功開發后,結構特征為ABO3型的鉛基鈣鈦礦壓電陶瓷的研究開發非?;钴S,壓電陶瓷及壓電陶瓷器件已廣泛地應用于工業特別是信息產業領域。以鋯鈦酸鉛(Pb(Ti,Zr)O3)為代表的鉛基二元系和以鋯鈦酸鉛(Pb(Ti,Zr)O3)為基、添加第三組元如以鈮鎂酸鉛(Pb(Mg1/3Nb2/3)O3)、銻錳酸鉛Pb(Mn1/3Sb2/3)O3為代表的鉛基三元系壓電陶瓷材料具有優良的壓電鐵電性能、高的居里溫度。工業生產中應用的壓電陶瓷絕大多數是該類鈣鈦礦鉛基壓電陶瓷。?
但是,鉛基壓電陶瓷材料中,PbO或Pb3O4的含量約占原料總質量的70%。鉛污染已成為人類公害之一。鉛基壓電陶瓷在生產、使用及廢棄后處理過程中給人類及生態環境造成嚴重危害,不利于人類社會的可持續發展。近年來,開發不含鉛的、性能優越的壓電陶瓷體系受到世界各國特別是歐美、日本、韓國以及中國的日益重視。?
目前廣泛研究的無鉛壓電陶瓷體系有四類:鉍層狀結構無鉛壓電陶瓷、BaTiO3基無鉛壓電陶瓷、Bi0.5Na0.5TiO3基無鉛壓電陶瓷及K0.5Na0.5NbO3堿金屬鈮酸鹽系無鉛壓電陶瓷。其中KNN系無鉛壓電陶瓷因具有介電常數小、壓電?性能高、頻率常數大、密度小、居里溫度高等特點,成為當前最有可能取代鉛基壓電陶瓷的體系之一。然而,傳統工藝獲得KNN壓電陶瓷有以下的缺點:(1)在1140℃以上,KNN會出現液相,所以KNN的溫度穩定性被限制在1140℃以下。(2)由于在900℃左右Na和K會以氧化物Na2O和K2O形成開始揮發,造成預燒和燒結的氣氛很難控制;(3)KNN在潮濕的環境時非常容易發生潮解,使化學計量發生偏離,導致產生雜相,使陶瓷難以燒結致密。上述原因都限制了KNN體系材料的實際應用。為了優化KNN基無鉛壓電陶瓷的結構,提高KNN基陶瓷的壓電性能,各國學者從添加燒結助劑、A位和B位摻雜取代、添加新組元等方面對KNN基無鉛壓電陶瓷進行了大量研究;同時,結合熱壓、放電等離子、熱等靜壓燒結等工藝方法,以期獲得致密的KNN陶瓷;然而上述制備方法對設備要求過高、生產工藝苛刻、生產成本較高、材料尺寸受到限制,而且制得的陶瓷的穩定性也不能令人滿意,因此難以獲得工業化應用。?
發明內容
本發明的目的在于提供一種KNN-LT無鉛壓電陶瓷及其制備方法,該方法工藝簡單、能耗低、成本低,制得的KNN-LT無鉛壓電陶瓷的化學式為(1-x)(0.5KNbO3-0.5NaNbO3)-xLiTaO3(x=0~0.10)。?
為達到上述目的,本發明采用的技術方案為:?
一種KNN-LT無鉛壓電陶瓷,其化學式為:?
(1-x)(0.5KNbO3-0.5NaNbO3)-xLiTaO3,其中x=0~0.10。?
其為鈣鈦礦結構,其壓電常數d33=104~167pC/N,機電耦合系數Kp=17.1~37.3%,機械品質因子Qm=19.2~131.9,居里溫度Tc=444.4~461.8℃。?
當x≤0.04時KNN-LT無鉛壓電陶瓷的主晶相為正交鈣鈦礦結構;當x≥0.10?時KNN-LT無鉛壓電陶瓷的主晶相為四方鈣鈦礦結構。?
一種KNN-LT無鉛壓電陶瓷的制備方法,包括以下步驟:?
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