[發(fā)明專利]一種電容器及功率集成電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310481811.3
• 申請日: 2013-10-15
• 公開（公告）號: CN103794607B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李照華;趙春波;林道明;戴文芳;陳艷霞
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市明微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/40
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所44237
• 代理人: 張全文

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計領(lǐng)域，尤其涉及一種電容器及功率集成電路。

背景技術(shù)

在驅(qū)動電路設(shè)計領(lǐng)域，為了降低成本并縮小體積，常采用功率集成電路實現(xiàn)對負(fù)載的恒流/恒壓驅(qū)動控制。功率集成電路是指將功率器件、低壓控制電路、信號處理和通信接口等電路模塊集成在同一芯片中的特殊集成電路，其中的功率器件作為核心部分，占據(jù)了芯片的大部分面積。現(xiàn)有技術(shù)提供的恒流/恒壓驅(qū)動電路中，功率集成電路采用N型的橫向雙擴散MOS（N?Type?Lateral?Double?Diffused?MOS，NLDMOS）管作為功率器件，并在功率集成電路內(nèi)部設(shè)置一電容C0，電容C0的一端連接NLDMOS的漏極引腳，通過電容C0的另一端實現(xiàn)對漏極引腳與地之間信號的采集。

其中，電容C0具體是集成到功率集成電路中而外接于NLDMOS管。具體地，如圖1所示，圖形A表示NLDMOS管11的低壓N阱區(qū)，圖形B表示NLDMOS管11的N+摻雜區(qū)，圖形C表示NLDMOS管11的POLY多晶層，圖形D表示頂層金屬M2，圖像E表示NLDMOS管11的P+摻雜區(qū)，圖形F表示NLDMOS管11的高壓N阱區(qū)，圖形G表示NLDMOS管11的引腳PAD。NLDMOS管11設(shè)置引腳111，功率集成電路中的電容器12的兩個極板引腳121和引腳122，引腳122與引腳111電連接。可見，雖然將電容C0集成到功率集成電路內(nèi)部可簡化芯片外部電路結(jié)構(gòu)，但由于電容C0是外接于NLDMOS管11，因而增加了功率集成電路的體積及生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例的目的在于提供一種電容器，旨在解決現(xiàn)有功率集成電路中，由于電容外接于NLDMOS管，導(dǎo)致功率集成電路的體積大及生產(chǎn)成本高的問題。

本發(fā)明實施例是這樣實現(xiàn)的，一種電容器，所述電容器下極板與場效應(yīng)晶體管的漏極電連接，且所述電容器下極板為包含所述漏極的部分阱區(qū)，所述電容器的上極板是所述部分阱區(qū)對應(yīng)的頂層金屬。

本發(fā)明實施例的另一目的在于提供一種功率集成電路，包括一場效應(yīng)晶體管和一電容器，所述電容器是如上所述的電容器。

本發(fā)明實施例提出的電容器，其下極板與場效應(yīng)晶體管的漏極電連接，且下極板為包含漏極的部分阱區(qū)，其上極板是包含場效應(yīng)晶體管漏極的部分阱區(qū)對應(yīng)的頂層金屬，從而將電容器集成到場效應(yīng)晶體管中而沒有增加場效應(yīng)晶體管的體積。若將集成有該電容器的場效應(yīng)晶體管應(yīng)用到功率集成電路，則可減小集成有電容的現(xiàn)有功率集成電路的體積及降低生產(chǎn)成本，有利于產(chǎn)品的推廣及應(yīng)用。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)提供的恒流/恒壓驅(qū)動電路中，NLDMOS管與集成在功率集成電路內(nèi)部并與漏極引腳連接的電容之間的連接示意圖；

圖2是本發(fā)明第一實施例提供的場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)圖；

圖3是圖2的H-H剖面圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明提出了一種電容器。該電容器下極板與場效應(yīng)晶體管的漏極電連接，且下極板為包含漏極的部分阱區(qū)，該電容器上極板是包含場效應(yīng)晶體管漏極的部分阱區(qū)對應(yīng)的頂層金屬。其中，場效應(yīng)管的漏極可采用“E”型布局，此時，作為電容器上極板的頂層金屬分布在“E”型布局的封口端。本發(fā)明中，場效應(yīng)晶體管可以是現(xiàn)有各種增強型或耗盡型的JFET管或MOS管，以下將以NLDMOS管為例，詳細(xì)說明本發(fā)明的實現(xiàn)方式：

實施例一

本發(fā)明實施例一提供了一種場效應(yīng)晶體管，該場效應(yīng)晶體管是NLDMOS管，如圖2所示，圖3是圖2的H-H剖面圖，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實施例一相關(guān)的部分。