[發明專利]一種同軸介質濾波器坯體的成型方法

有效

• 申請號: 201310481759.1
• 申請日: 2013-10-15
• 公開（公告）號: CN103553604A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 呂文中;羅希;范桂芬
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: C04B35/495
• 分類號: C04B35/495;C04B35/632
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 曹葆青

1.一種同軸介質濾波器坯體的成型方法，其特征在于，該方法包括下述步驟：

第1步制備陶瓷基膜片，并進行裁剪；

第2步將器件結構從與疊膜方向的垂直平面按照膜片厚度分解為一組平面圖形，在切裁剪后的膜片上進行圖形轉移；

第3步將圖形轉移后的陶瓷膜片按順序疊片，直到膜層總厚度達到預定的器件厚度，經過加溫加壓使分層膜片成為定型后的陶瓷生坯；

第4步對定型后的陶瓷生坯體進行排膠及燒結，得到所需的陶瓷器件坯體，其后即可按現有工藝進行電極印制，制得所需器件。

2.根據權利要求1所述的同軸介質濾波器坯體的成型方法，其特征在于，第4步中，排膠過程分為三階段，第一階段：從室溫按2～4℃／min升溫至250℃～350℃，保溫90～150min；第二階段：再按1～2.5℃／min升溫至450℃～600℃，保溫150～200min；第三階段：降溫至室溫。

3.根據權利要求1所述的同軸介質濾波器坯體的成型方法，其特征在于，第4步中，燒結過程分為四階段，第一階段：從室溫按3～6℃／min升溫至400℃～500℃；第二階段：再按3～5℃／min升溫至600℃～700℃，保溫100～150min；第三階段：再按4～7℃／min升溫至1500℃，保溫180～240min；第四階段：降溫至室溫。

4.根據權利要求1所述的同軸介質濾波器坯體的成型方法，其特征在于，第1步中，陶瓷基膜片由微波介質陶瓷漿料經除泡和流延處理后得到，厚度為0.5～1.5mm。

5.根據權利要求4所述的同軸介質濾波器坯體的成型方法，其特征在于，所述微波介質陶瓷漿料中的粉料為BCZN陶瓷粉體，BCZN陶瓷粉體的結構式為：Ba(Co_1-xZn_x)_1／3Nb_2／3O₃體系陶瓷，其中，x=0.2～0.4。

6.根據權利要求4所述的同軸介質濾波器坯體的成型方法，其特征在于，所述微波介質陶瓷漿料由BCZN陶瓷粉體和添加劑構成，其中，BCZN陶瓷粉體的半徑0.8um～2.3um，其質量百分比為50～65wt％，余量為添加劑。

7.根據權利要求6所述的同軸介質濾波器坯體的成型方法，其特征在于，所述添加劑的組分及配比為60～70wt％溶劑，10～15wt％除泡劑，4～7wt％增塑劑，6～10wt％分散劑，4～9wt％粘合劑，1～3wt％附加劑。

8.根據權利要求7所述的同軸介質濾波器坯體的成型方法，其特征在于，所述溶劑由80～85wt％丁酮和15～20wt％乙醇構成，所述除泡劑由35～50wt％正丁醇和50％～65wt％乙二醇構成，所述增塑劑由15％～35wt％聚乙二醇-400和65％～85wt％聚乙二醇-2000構成，所述分散劑為三油酸甘油酯TG，所述粘合劑為聚乙烯醇縮丁醛PVB，所述附加劑由33％～54wt％正辛醇和47％～66％wt環己酮構成。

9.根據權利要求1至8中任一所述的同軸介質濾波器坯體的成型方法，其特征在于，第3步包括下述過程：疊層后膜片放入熱壓機中加壓加熱壓結，加壓2～4MPa，溫度60～75℃，時長30～60分鐘使層間緊密結合，且層間無擠壓變形，后進行等靜壓定型30～40分鐘，壓強10～15MPa，溫度40～55℃得到陶瓷生坯體。