[發(fā)明專利]具有氣隙的半導體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310481657.X
• 申請日: 2013-10-15
• 公開（公告）號: CN104103578B
• 公開（公告）日: 2018-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林成沅;廉勝振;李孝碩
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

1.一種半導體器件，包括：

形成在襯底之上的第一導電結(jié)構(gòu)，所述第一導電結(jié)構(gòu)包括第一導電圖案；

在所述襯底之上的第二導電結(jié)構(gòu)，所述第二導電結(jié)構(gòu)相鄰于所述第一導電結(jié)構(gòu)的側(cè)壁而形成；以及

在所述襯底之上的絕緣結(jié)構(gòu)，所述絕緣結(jié)構(gòu)包括形成在所述第一導電結(jié)構(gòu)和所述第二導電結(jié)構(gòu)之間的氣隙，

其中，所述第二導電結(jié)構(gòu)包括：第二導電圖案、形成在所述第二導電圖案之上的歐姆接觸層、以及形成在所述歐姆接觸層之上并且經(jīng)由所述氣隙與所述第一導電圖案分隔開的第三導電圖案。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述第三導電圖案的體積比所述第二導電圖案的體積大，所述第三導電圖案的線寬比所述第二導電圖案的線寬小。

3.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二導電圖案的表面被凹陷成比所述第一導電圖案的上表面低。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電圖案和所述第三導電圖案中的每個包括含金屬材料。

5.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二導電圖案包括含硅材料。

6.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述歐姆接觸層包括金屬硅化物。

7.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，其中，所述歐姆接觸層包括具有CoSi₂相的硅化鈷。

8.如權(quán)利要求1所述的半導體器件，還包括：

阻擋圖案，所述阻擋圖案覆蓋所述第三導電圖案和所述氣隙；以及

第四導電圖案，所述第四導電圖案形成在所述阻擋圖案之上。

9.如權(quán)利要求8所述的半導體器件，其中，所述阻擋圖案和所述第四導電圖案中的每個包括含金屬材料。

10.一種半導體器件，包括：

形成在襯底之上的位線結(jié)構(gòu)，所述位線結(jié)構(gòu)包括位線；

在所述襯底之上的儲存節(jié)點接觸插塞，所述儲存節(jié)點接觸插塞相鄰于所述位線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁而形成；以及

在所述襯底之上的絕緣結(jié)構(gòu)，所述絕緣結(jié)構(gòu)包括形成在所述位線結(jié)構(gòu)和所述儲存節(jié)點接觸插塞之間的氣隙，

其中，所述儲存節(jié)點接觸插塞包括：第一插塞、形成在所述第一插塞之上的歐姆接觸層、以及形成在所述歐姆接觸層之上并且經(jīng)由所述氣隙與所述位線分隔開的第二插塞。

11.如權(quán)利要求10所述的半導體器件，其中，所述第二插塞的體積比所述第一插塞的體積大，所述第二插塞的線寬比所述第一插塞的線寬小。

12.如權(quán)利要求10所述的半導體器件，其中，所述第一插塞的表面被凹陷成比所述位線的下表面低。

13.如權(quán)利要求10所述的半導體器件，其中，所述第二插塞包括含金屬材料。

14.如權(quán)利要求10所述的半導體器件，其中，所述第一插塞包括含硅材料。

15.如權(quán)利要求10所述的半導體器件，其中，所述歐姆接觸層包括金屬硅化物。

16.如權(quán)利要求10所述的半導體器件，其中，所述歐姆接觸層包括具有CoSi₂相的硅化鈷。

17.如權(quán)利要求10所述的半導體器件，還包括：

阻擋圖案，所述阻擋圖案覆蓋所述第二插塞和所述氣隙；以及

第三插塞，所述第三插塞形成在所述阻擋圖案之上。

18.如權(quán)利要求17所述的半導體器件，其中，所述阻擋圖案和所述第三插塞中的每個包括含金屬材料。