[發明專利]發光二極管

在審

• 申請號: 201310478866.9
• 申請日: 2013-10-14
• 公開（公告）號: CN104425660A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 傅毅耕;蔡佳龍;陳宏澤;周志學
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院;華新麗華股份有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種發光二極管，包括：

第一型摻雜氮化鎵基板，具有第一摻雜元素；

第一型半導體層，位于該第一型摻雜氮化鎵基板上，該第一型半導體層具有一不同于該第一摻雜元素的一第二摻雜元素，且該第二摻雜元素于該第一型摻雜氮化鎵基板與該第一型半導體層之間的界面具有一摻雜濃度的峰值為3x10¹⁸/cm³至1x10²⁰/cm³；

主動層，位于該第一型半導體層上；以及

第二型半導體層，位于該主動層上。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其中該第一型摻雜為N型摻雜，該第一摻雜元素為氧摻雜，而該第二摻雜元素為硅摻雜。

3.如權利要求1所述的發光二極管，其中該第一型摻雜氮化鎵基板具有彼此相對的第一表面與第二表面，該第一型半導體層位于該第一表面上，且第二表面具有多個突起，該些突起在該第二表面上的分布密度大于該第一型摻雜氮化鎵基板的本質缺陷密度。

4.如權利要求1所述的發光二極管，其中該第一型摻雜氮化鎵基板的厚度介于70μm至200μm。

5.如權利要求1所述的發光二極管，還包括：

第一電極以及第二電極，其中該第一電極與該第二電極分別位于該第一型摻雜氮化鎵基板與該第二型半導體層上。

6.一種發光二極管，包括：

第一型摻雜氮化鎵基板，具有第一摻雜元素；

第一型半導體層，位于該第一型摻雜氮化鎵基板上，該第一型半導體層具有一不同于該第一摻雜元素的一第二摻雜元素，且在該第一型摻雜氮化鎵基板與該第一型半導體層之間的界面，該第二摻雜元素的摻雜濃度相對于該第一摻雜元素的摻雜濃度的比值為0.38至1000；

主動層，位于該第一型半導體層上；

第二型半導體層，位于該主動層上；以及

第一電極以及第二電極，其中該第一電極與該第二電極分別位于該第一型摻雜氮化鎵基板與該第二型半導體層上。

7.如權利要求6所述的發光二極管，其中該第二摻雜元素的摻雜濃度相對于該第一摻雜元素的摻雜濃度的比值為0.38至200。

8.如權利要求6所述的發光二極管，其中該第二摻雜元素的摻雜濃度相對于該第一摻雜元素的摻雜濃度的比值為0.6至100。

9.如權利要求6所述的發光二極管，其中該第二摻雜元素在該界面的摻雜濃度為峰值的濃度，而該第一摻雜元素的摻雜濃度為該第一摻雜元素在該第一型摻雜氮化鎵基板中定值的濃度。

10.如權利要求6所述的發光二極管，其中該界面為該第二摻雜元素在該第一型半導體層中從摻雜濃度為峰值的位置至摻雜濃度開始變為定值的位置。

11.如權利要求6所述的發光二極管，其中該第一型摻雜為N型摻雜，該第一摻雜元素為氧摻雜，而該第二摻雜元素為硅摻雜。

12.如權利要求6所述的發光二極管，其中該第一型摻雜氮化鎵基板具有彼此相對的第一表面與第二表面，該第一型半導體層位于該第一表面上，且第二表面具有多個突起，該些突起在該第二表面上的分布密度大于該第一型摻雜氮化鎵基板的本質缺陷密度。

13.如權利要求12所述的發光二極管，其中該第一型摻雜氮化鎵基板的厚度介于70μm至200μm。

14.一種發光二極管，包括：

第一型摻雜氮化鎵基板，具有第一摻雜元素；

第一型半導體層，位于該第一型摻雜氮化鎵基板上，該第一型半導體層具有一不同于該第一摻雜元素的一第二摻雜元素，且在該第一型摻雜氮化鎵基板與該第一型半導體層之間的界面，該第二摻雜元素的摻雜濃度變化值相對于厚度的數值為1.0x10²²/cm⁴至1.0x10²⁶/cm⁴；

主動層，位于該第一型半導體層上；

第二型半導體層，位于該主動層上；以及

第一電極以及第二電極，其中該第一電極與該第二電極分別位于該第一型摻雜氮化鎵基板與該第二型半導體層上。