[發(fā)明專(zhuān)利]具有微機(jī)械傳聲器結(jié)構(gòu)的構(gòu)件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310478347.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-07-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103546845A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | J·策爾林;R·艾倫普福特;J·格拉夫;C·謝林;F·安特;M·庫(kù)爾契奇 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H04R7/02 | 分類(lèi)號(hào): | H04R7/02 |
| 代理公司: | 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 侯鳴慧 |
| 地址: | 德國(guó)斯*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 微機(jī) 傳聲器 結(jié)構(gòu) 構(gòu)件 | ||
1.具有微機(jī)械傳聲器結(jié)構(gòu)的構(gòu)件(10),該傳聲器結(jié)構(gòu)以層結(jié)構(gòu)的方式實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體襯底(1)上并且至少包括
-一聲學(xué)上起作用的膜片(11),該膜片至少部分地跨越襯底背側(cè)中的一聲孔(14)并且設(shè)有傳聲器電容器組件的至少一個(gè)可運(yùn)動(dòng)的電極,和
-一固定的、可透聲的、具有貫通孔(16)的對(duì)應(yīng)元件(15),該對(duì)應(yīng)元件以層結(jié)構(gòu)方式布置在所述膜片(11)的上方并且作為用于所述傳聲器電容器組件的至少一個(gè)不可運(yùn)動(dòng)的電極的載體起作用,
其特征在于,所述膜片(11)在一中心區(qū)域(121)中連接到所述半導(dǎo)體襯底(1)上,并且,所述膜片(11)至少區(qū)域式地具有瓦楞板形的褶皺(13)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的構(gòu)件,其特征在于,所述膜片通過(guò)至少一個(gè)剛性的懸掛條(12)連接到所述半導(dǎo)體襯底(1)上,所述懸掛條從所述聲孔(14)的邊緣區(qū)域延伸直到膜片區(qū)域中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的構(gòu)件,其特征在于,膜片懸掛裝置包括至少兩個(gè)懸掛條(12),所述懸掛條分別從所述聲孔(14)的一邊緣區(qū)段向該聲孔(14)的對(duì)置的邊緣區(qū)段延伸并且在所述膜片(11)的中心區(qū)域中相交叉0
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3的構(gòu)件,其特征在于,所述膜片邊緣在其他部位不被納入到所述傳聲器結(jié)構(gòu)的層結(jié)構(gòu)中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4之一的構(gòu)件,其特征在于,所述膜片(11)至少區(qū)域式地延伸直到超過(guò)所述聲孔(14)的所述邊緣區(qū)域,從而所述聲孔(14)的所述邊緣區(qū)域構(gòu)成用于所述膜片(11)的襯底側(cè)止擋。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5之一的構(gòu)件,其特征在于,在所述膜片(11)的所述邊緣區(qū)域中,在所述膜片(11)的朝向所述對(duì)應(yīng)元件(15)的側(cè)上構(gòu)成有至少一個(gè)山脊?fàn)畹慕Y(jié)構(gòu)元件(17),并且,所述山脊?fàn)畹慕Y(jié)構(gòu)元件(17)伸入到所述對(duì)應(yīng)元件(15)的一相應(yīng)地成形的空隙(18)中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到6之一的構(gòu)件,其特征在于,在所述膜片的所述中心區(qū)域中構(gòu)成有至少一個(gè)壓力補(bǔ)償孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1到7之一的構(gòu)件,其中,所述半導(dǎo)體襯底(1)涉及一種單晶的半導(dǎo)體材料、尤其涉及硅晶片,其特征在于,所述膜片(11)的至少一層為單晶的并且由所述半導(dǎo)體襯底(1)結(jié)構(gòu)化出來(lái)。
9.根據(jù)權(quán)利要求2到8之一的構(gòu)件,其特征在于,所述至少一個(gè)懸掛條(12)由所述半導(dǎo)體襯底(1)結(jié)構(gòu)化出來(lái)并且基本上在該半導(dǎo)體襯底(1)的整個(gè)厚度上延伸。
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