[發明專利]一種大櫻桃吉塞拉快速繁育方法

有效

• 申請號: 201310478199.4
• 申請日: 2013-10-15
• 公開（公告）號: CN103688852A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 白文釗;代貴華
• 申請（專利權）人: 陜西理工學院
• 主分類號: A01H4/00
• 分類號: A01H4/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種大櫻桃吉塞拉快速繁育方法，其特征在于，包括如下步驟：?

1)、外植體獲取及脫毒：?

外植體要通過材料脫毒、殺菌消毒后獲取無菌莖尖；?

2)、外植體誘導培養：?

外植體誘導培養基：用MS+6-BA0.5mg／L+ZT0.4mg／L+IBA0.1mg／L，對“吉塞拉”外植體誘導培養30d，獲得新生芽體；?

3)、叢生芽增殖培養：?

選擇用MS為基本培養基，用4種激素6-BA(6-芐氨基嘌呤)、ZT(玉米素)、KT(激動素)、IBA(吲哚丁酸)組合，對“吉塞拉”外植體誘導培養25d；?

4)、生根培養：?

采用：1／4MS+6-BA0.3mg／L+IBA0.5mg／L培養基，黑暗處理15d進行生根培養，生根效果達到5根／株左右；?

5)、煉苗技術?

煉苗基質及配方選用：草糞：園土=1：1配比，在大棚對煉苗環境(溫度、濕度)全程控制7d；煉苗溫度保持在18℃～26℃之間，煉苗濕度保持在80％。成活率達90％以上；?

6)、大田培育?

通過煉苗成活的幼苗在移入大田，在自然環境中培育2——3月。?

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟1)外植?體獲取及脫毒的具體操作為：①脫毒：將盆栽苗放入熱處理箱內，進行變溫處理，開始處理時溫度為30-32℃，然后每隔1d提高1℃，直至37～38℃，穩定處理6周。②殺菌消毒：取1.5-2.0cm長新梢，用自來水沖洗10～12h，然后在超凈工作臺上用70％酒精浸泡材料30s，用0.1％升汞浸泡8～12min，并不時輕輕攪動；加入適量吐溫-傾去升汞-用無菌水沖洗8～10次后，用無菌紗布吸干水分；③外植體獲取：在解剖鏡下，切取0.3mm左右莖尖接種至培養基培養。?

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟2)中培養環境條件為：清潔環境，培養溫度22-28℃，光照時間8-14h／d，光照強度1000-3000Lx。?

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟3)中培養基的具體濃度為：MS+6-BA0.5-1.0mg／L；ZT0.1-0.2mg／L；IBA0.3mg／L。?

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟5)中煉苗基質也可為草炭土：蛭石：珍珠巖=6：3：1混合配比。?

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟5)中溫度煉苗溫度在15℃～25℃之間。?

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟5)中濕度控制方法為：試管苗移栽后的前三天濕度控制在90％以上，每天白天用噴霧噴頭隔1小時噴一次水，噴灑過程中只噴葉面，不噴根部和營養土，連續三天，幼苗健康，葉子變綠，此后每天噴水兩次，如?此連續一周，一周后每隔兩天噴灑一次稀薄營養液，隔五天噴灑一次1000倍的多菌靈液，經過一個多月的精心管理后幼苗便可健康生長。?