[發明專利]一種半導體研磨硅片取片方法

無效

• 申請號: 201310477685.4
• 申請日: 2013-10-14
• 公開（公告）號: CN103600286A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 陳峰;汪利峰
• 申請（專利權）人: 萬向硅峰電子股份有限公司
• 主分類號: B24B37/34
• 分類號: B24B37/34
• 代理公司: 杭州九洲專利事務所有限公司 33101
• 代理人: 陳繼亮

技術領域

本發明涉及一種半導體研磨硅片取片方法。

背景技術

?目前，在硅片研磨工藝中，當硅片研磨結束后，硅片吸附在磨盤上，需要將硅片從磨盤中取出，而從磨盤中取片工藝有兩種，一種是將磨盤中的硅片載體行星片取出，然后將硅片用手撫到磨盤邊緣，使硅片部分面積脫離磨盤的接觸，用手直接從脫離接觸的位置抓取硅片，該種工藝優點是取片速度快，但是容易造成硅片表面的擦痕以及硅片碰撞產生崩邊；另一種是采用小鏟直接在載體行星片中將硅片鏟取，該種工藝不易上手，要求操作人員技術嫻熟，如果操作不當很容易造成硅片邊緣崩邊。

發明內容

本發明的目的是提供能夠有效的減少硅片邊緣崩邊和硅片表面的擦痕，降低返工片比例的一種半導體研磨硅片取片方法。

本發明采取的技術方案是：一種半導體研磨硅片取片方法，其特征在于利用中心設有孔洞，后端連接有氣囊的乳膠吸盤進行取片，取片時，將氣囊中的空氣排出部分后，然后將乳膠吸盤的中心孔洞對準硅片的1/2半徑處，之后將氣囊松開，硅片就吸附在乳膠吸盤上，將硅片取出后，用手將氣囊內的空氣排出，硅片從乳膠吸盤上自動脫落即可。

采用本發明，硅片表面的擦痕減少，非倒角硅片崩邊率下降，硅片返工片比例從原來的2%左右下降到了0.5%。

?具體實施方式

下面結合具體的實施例對本發明作進一步說明。具體如下：

采用直徑約2～5㎝的乳膠吸盤（根據硅片直徑選擇相應直徑的吸盤），吸盤中心有孔洞，吸盤后端連接6～10㎝左右長度，直徑1㎝左右的乳膠真空氣囊管進行取片，取片時，將氣囊管中的空氣排出約1/5后，然后將乳膠吸盤的中心孔洞對準硅片的1/2半徑處，之后將氣囊松開，硅片就吸附在乳膠吸盤上，將硅片取出后，用手將氣囊內的空氣排出，硅片從乳膠吸盤上自動脫落即可。