[發(fā)明專利]一種閥門密封件表面的復(fù)合涂層及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310477578.1 | 申請日: | 2013-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN103522627A | 公開(公告)日: | 2014-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王永欣;單磊;李金龍;陳建敏 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所 |
| 主分類號: | B32B15/00 | 分類號: | B32B15/00;B32B9/04;C23C14/32;C23C14/06;C23C8/36 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 單英 |
| 地址: | 315201 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 閥門 密封件 表面 復(fù)合 涂層 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于機(jī)械零部件表面強(qiáng)化處理技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種閥門密封件表面的復(fù)合涂層及其制備方法。
背景技術(shù)
閥門廣泛應(yīng)用在石油、化工和電站建設(shè)等項目。閥門密封件是閥門的一個重要部件。在實際應(yīng)用中,要求閥門密封件使用壽命長,最少能保證在一個檢修期內(nèi)(一般1~2年)閥門不損壞,以保證整個系統(tǒng)安全正常的運(yùn)行。例如,用于核電站的閥門密封件要求更高,必須保證安全運(yùn)行30年以上;有些石油化工管道特殊部位對閥門密封件的要求也很高,必須保證安全開關(guān)10萬次以上。
另外,閥門在使用過程中,其密封件長期處于介質(zhì)中,受到介質(zhì)的腐蝕和沖刷,同時還存在著密封比壓作用下的密封副之間的摩擦和磨損,因此工況條件相當(dāng)苛刻。為提高密封件抗腐蝕、抗熱和抗擦傷等性能,一般將堆焊、熱噴涂等表面處理技術(shù)應(yīng)用在閥門密封件中。但由于堆焊和熱噴涂獲得的保護(hù)層孔隙率較高,腐蝕介質(zhì)容易通過針孔和裂紋等貫穿涂層而導(dǎo)致涂層的整體剝落,引起密封失效。
目前,利用PVD技術(shù)制備的CrN涂層是耐磨部件主要采用的防護(hù)涂層。然而,傳統(tǒng)的具有柱狀晶結(jié)構(gòu)的CrN涂層在腐蝕介質(zhì)中容易腐蝕脫落,并且涂層脆性較大,在接觸應(yīng)力作用下,涂層缺陷(微凸、微坑、應(yīng)力集中處等)處易于萌生裂紋,導(dǎo)致涂層早期非正常剝落和加速疲勞磨損失效。因此,傳統(tǒng)單一的CrN涂層已難以適應(yīng)當(dāng)前和未來高機(jī)械負(fù)荷和腐蝕環(huán)境中閥門密封件的苛刻工況服役環(huán)境和性能要求,如重載下的低摩擦、長壽命和耐蝕性等。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的技術(shù)目的是針對上述現(xiàn)有的閥門密封件表面涂層的不足,提供一種閥門密封件表面的復(fù)合涂層,該復(fù)合涂層具有較高的耐磨損性能與耐腐蝕性能。
為實現(xiàn)上述技術(shù)目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:一種閥門密封件表面的復(fù)合涂層,該涂層以閥門密封件為基體,如圖1所示,該涂層由基體表面自下而上依次層疊排列的Cr層、由Cr與Cr2N混合形成的Cr/Cr2N層、Cr2N層、由Cr2N與CrN混合形成的Cr2N/CrN層,以及CrN層組成。
作為優(yōu)選,所述的復(fù)合梯度涂層的厚度為30μm~50μm。
作為優(yōu)選,所述的Cr層的厚度為1um~2um;所述的Cr/Cr2N層的厚度為8um~12um;所述的Cr2N層的厚度為8um~12um;所述的Cr2N/CrN層的厚度為8um~12um;所述的Cr2N層的厚度為8um~12um。
為了提高基體的硬度,作為優(yōu)選,所述的基體表面首先進(jìn)行離子滲氮處理。
本發(fā)明還提供了一種制備上述閥門密封件表面的復(fù)合涂層的方法,該方法采用多弧離子鍍技術(shù),具體包括如下步驟:
步驟1、對基體表面進(jìn)行清洗、除油、表面活化處理;
作為優(yōu)選,利用超聲波對基體表面進(jìn)行超聲清洗;
作為優(yōu)選,所述的表面活化處理為:將基體置于鍍膜設(shè)備真空腔體利用氬等離子體對施加負(fù)偏壓的基體表面轟擊活化。進(jìn)一步優(yōu)選,所述的真空腔體抽真空至(3~6)×10-3Pa,將基體預(yù)熱至400℃~450℃,通入工作氬氣100~350sccm,啟動偏壓電源,以-900~-1200V偏壓轟擊基體10分鐘,使基體表面活化;
步驟2、將步驟1處理后的基體置于鍍膜設(shè)備真空腔體中,選用Cr靶,Cr靶電流為50~100A,工件上施加-20~-50V負(fù)偏壓,控制加熱溫度為400℃~450℃,通入氬氣和氮?dú)猓ㄟ^控制氬氣流量、氮?dú)饬髁恳约俺练e時間在基體表面依次沉積Cr層、由Cr與Cr2N混合形成的Cr/Cr2N層、Cr2N層、由Cr2N與CrN混合形成的Cr2N/CrN層,以及CrN層組成,具體如下:
(1)氬氣流量保持為100sccm~200sccm,氮?dú)饬髁繛?sccm,沉積1小時~2小時,得到Cr層;
(2)氬氣流量保持為100sccm~200sccm,氮?dú)饬髁繛?0sccm~30sccm,沉積時間為8小時~12小時,得到由Cr與Cr2N混合形成的Cr/Cr2N層;
(3)氬氣流量保持為100sccm~200sccm,氮?dú)饬髁繛?5sccm~50sccm,沉積時間為8小時~12小時,得到Cr2N層;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310477578.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





