[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310477037.9
• 申請日: 2013-10-12
• 公開（公告）號: CN103500802A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖金龍;焦志強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 孟憲功

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括陽極層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層；所述電子傳輸層采用電子傳輸主體材料與有機(jī)金屬螯合物摻雜劑摻雜制成。

2.如權(quán)利要求1所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層中的一層或多層。

3.如權(quán)利要求1或2所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述有機(jī)金屬螯合物摻雜劑的LUMO能級與電子傳輸主體材料的LUMO能級差范圍絕對值小于0.9eV。

4.如權(quán)利要求3所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述有機(jī)金屬螯合物摻雜劑的LUMO能級與電子傳輸主體材料的LUMO能級差范圍絕對值在0.2‐0.8eV之間。

5.如權(quán)利要求4所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述有機(jī)金屬螯合物摻雜劑與所述電子傳輸主體材料的質(zhì)量比值介于1-8：10之間。

6.如權(quán)利要求5所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述有機(jī)金屬螯合物摻雜劑與所述電子傳輸主體材料的質(zhì)量比為48:52。

7.如權(quán)利要求6所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述有機(jī)金屬螯合物摻雜劑為CuPc或ZnPc。

8.如權(quán)利要求7所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述電子傳輸主體材料為BCP或Bphen。

9.如權(quán)利要求1所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述有機(jī)發(fā)光層采用摻雜有N-BDAVBi的MAND制成。

10.如權(quán)利要求9所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述MAND與所述N-BDAVBi的質(zhì)量比為97.5:2.5。

11.如權(quán)利要求1所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述有機(jī)發(fā)光層為非摻雜型單色有機(jī)發(fā)光層、非摻雜型混合色有機(jī)發(fā)光層、非摻雜型白色有機(jī)發(fā)光層、摻雜型單色有機(jī)發(fā)光層、摻雜型混合色有機(jī)發(fā)光層以及摻雜型有機(jī)白色發(fā)光層其中之一。

12.如權(quán)利要求2所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述空穴傳輸層采用NPB制成。

13.如權(quán)利要求2所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述空穴注入層采用MoO3制成。

14.如權(quán)利要求2所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述電子注入層采用LiF制成。

15.如權(quán)利要求1所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述陽極層采用ITO制成。

16.如權(quán)利要求1所述有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述陰極層采用Al制成。