[發明專利]LDMOS的制造方法

在審

• 申請號: 201310473674.9
• 申請日: 2013-10-12
• 公開（公告）號: CN104576499A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 黃晨
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/336
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種橫向擴散金屬氧化物半導體晶體管LDMOS的制造方法，該方法包括以下步驟：

A、提供一基底，在基底定義的LDMOS區中形成兩個具有臺階狀的淺溝槽隔離STI，所述兩個具有臺階狀的STI分別位于要形成的第一漂移區和第二漂移區中，且在第一漂移區中位于要形成的源極與多晶硅柵極之間，在第二漂移區中位于要形成的漏極與多晶硅柵極之間；

B、在LDMOS區進行離子注入形成阱；

C、在所述阱內離子注入形成位于柵極結構兩側對稱設置的第一漂移區和第二漂移區；

D、在第一漂移區和第二漂移區之間的基底表面形成柵極結構；

E、分別在第一漂移區和第二漂移區中進行摻雜形成源極和漏極。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有臺階狀的淺溝槽隔離STI的形成方法包括：

在基底表面形成圖案化的光刻膠層，所述圖案化的光刻膠層的開口定義STI的位置；

以所述圖案化的光刻膠層為掩膜對基底表面進行刻蝕形成具有第一臺階的STI溝槽；

在所述STI溝槽內部側壁形成STI側墻；

以所述STI側墻為掩蔽，刻蝕STI溝槽至預定深度，形成STI的第二臺階；

沉積用于填充STI溝槽的氧化物；

化學機械研磨所述氧化物至基底表面，形成具有臺階狀的STI。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蝕形成具有第一臺階的STI溝槽，采用氣體包括溴化氫HBr，氯氣Cl₂和四氟化碳CF₄，每種氣體流量為20～50標準立方厘米每分鐘。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述STI側墻為氧化層或者氮化層。

5.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述形成STI的第二臺階，采用刻蝕氣體包括溴化氫HBr，氯氣Cl₂和四氟化碳CF₄，每種氣體流量為30～70標準立方厘米每分鐘。

6.如權利要求2所述的方法，其特征在于，采用高密度等離子體化學氣相沉積方法填充STI溝槽。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，當LDMOS為LDNMOS時，所述漂移區為N-漂移區；所述阱為P型阱；所述源極和漏極進行N+摻雜形成。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，當LDMOS為LDPMOS時，所述漂移區為P-漂移區；所述阱為N型阱；所述源極和漏極進行P+摻雜形成。