[發(fā)明專利]一種大掩模版整形裝置和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310473556.8 | 申請日: | 2013-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN104570592B | 公開(公告)日: | 2019-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 江旭初;王鑫鑫;魏龍飛;梁曉葉 | 申請(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/68 | 分類號: | G03F1/68;G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 201203 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩模版 垂向 提升機構(gòu) 測量裝置 整形裝置 反饋信號調(diào)節(jié) 實時閉環(huán)控制 位置信號反饋 垂向位置 整形效果 質(zhì)量問題 變形量 整形 成像 變形 測量 保證 | ||
1.一種大掩模版整形裝置,其特征在于,包括:大掩模版、承版臺、若干組垂向提升機構(gòu)和若干組測量裝置;其中,
所述大掩模版固定在所述承版臺上;
所述測量裝置將測量的大掩模版的位置信號反饋于對應(yīng)的所述垂向提升機構(gòu);
所述垂向提升機構(gòu)依據(jù)位置反饋信號調(diào)節(jié)所述大掩模版的垂向位置;
所述垂向提升機構(gòu)包括:驅(qū)動裝置、軸桿、柔性裝置、氣浮軸承和軸套;其中,
所述驅(qū)動裝置包括:驅(qū)動裝置定子和驅(qū)動裝置動子;
所述驅(qū)動裝置定子和所述軸桿分別固定在一支座上;
所述驅(qū)動裝置動子與所述軸套固定連接;
所述軸桿和所述軸套之間形成導(dǎo)向裝置;
所述柔性裝置一端與所述軸套連接,另一端與所述氣浮軸承連接;
所述氣浮軸承和所述大掩模版之間形成有一具有雙向剛度的氣膜。
2.如權(quán)利要求1所述的大掩模版整形裝置,其特征在于,所述垂向提升機構(gòu)和所述測量裝置設(shè)置于所述大掩模版的第一側(cè),且一組垂向提升機構(gòu)各對應(yīng)一組測量裝置,所述測量裝置與對應(yīng)的垂向提升機構(gòu)相鄰設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1所述的大掩模版整形裝置,其特征在于,所述垂向提升機構(gòu)和所述測量裝置設(shè)置于所述大掩模版的第一側(cè),且在非掃描方向上位置相同的若干組垂向提升機構(gòu)共用同一組測量裝置。
4.如權(quán)利要求1所述的大掩模版整形裝置,其特征在于,
所述垂向提升機構(gòu)設(shè)置于所述大掩模版的第一側(cè);
所述測量裝置設(shè)置于所述大掩模版的第二側(cè);
在非掃描方向上位置相同的若干組垂向提升機構(gòu)共用同一組測量裝置。
5.如權(quán)利要求1-4中任一所述的大掩模版整形裝置,其特征在于,若干組所述垂向提升機構(gòu)在掃描方向和非掃描方向呈間隔設(shè)置。
6.如權(quán)利要求1-4中任一所述的大掩模版整形裝置,其特征在于,所述垂向提升機構(gòu)和對應(yīng)的所述測量裝置在非掃描方向上的位置相同。
7.如權(quán)利要求1所述的大掩模版整形裝置,其特征在于,所述測量裝置采用非接觸式位置傳感器,包括光電式傳感器、氣壓式傳感器或電容式傳感器。
8.如權(quán)利要求1所述的大掩模版整形裝置,其特征在于,所述導(dǎo)向裝置為氣浮導(dǎo)向、機械導(dǎo)軌導(dǎo)向或磁浮軸承導(dǎo)向。
9.如權(quán)利要求1所述的大掩模版整形裝置,其特征在于,所述驅(qū)動裝置為音圈電機或壓電式陶瓷電機。
10.如權(quán)利要求1所述的大掩模版整形裝置,其特征在于,所述柔性裝置為柔性鉸鏈,所述柔性鉸鏈包括:連接端、X向柔性壁、支撐端、Y向柔性壁和固定端;其中,
所述連接端與所述軸套固定連接;
所述支撐端一端與所述X向柔性壁連接,另一端與所述Y向柔性壁連接;
所述固定端與所述氣浮軸承連接。
11.如權(quán)利要求10所述的大掩模版整形裝置,其特征在于,所述X向柔性壁和Y向柔性壁的厚度范圍為0.1mm-0.5mm。
12.如權(quán)利要求10所述的大掩模版整形裝置,其特征在于,所述柔性鉸鏈具有Rx、Ry兩個方向的柔性,且所述柔性鉸鏈的垂向剛度大于Rx、Ry向的剛度。
13.如權(quán)利要求1所述的大掩模版整形裝置,其特征在于,所述柔性裝置為球鉸。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





