[發明專利]高強度低發氣覆膜砂及其制備方法在審
| 申請號: | 201310472842.2 | 申請日: | 2013-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN103567362A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發明(設計)人: | 吳壽濤 | 申請(專利權)人: | 銅陵市經緯流體科技有限公司 |
| 主分類號: | B22C1/00 | 分類號: | B22C1/00 |
| 代理公司: | 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
| 地址: | 244031 安徽省銅*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 強度 發氣 覆膜砂 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種高強度低發氣覆膜砂及其制備方法,屬于型砂技術領域。
背景技術
覆膜砂是指砂粒表面在造型前即覆有一層固體樹脂膜的型砂或芯砂。覆膜砂用來制作砂芯具有制芯過程簡單,生產效率高,硬化反應快,變形小,精度高,型芯不會產生蠕變,可長時間使用等特點,廣泛應用于鑄鋼件、鑄鐵件。但是也存在著不足之處,比如發氣量較大,生產的鑄件易產生針孔、氮氣孔等缺陷。因此,必須改善現有覆膜砂的性能,使其滿足生產需求。
發明內容
本發明的目的在于針對現有技術的不足,提高一種高強度低發氣覆膜砂及其制備方法,有效防止鑄件產生針孔、氮氣孔。
本發明采用的技術方案如下:
????一種高強度低發氣覆膜砂,由以下重量份的原料制成:石英砂60-80、天青石15-20、硅灰石5-10、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷0.4-0.8、季戊四醇油酸酯4-6、環氧大豆油3-5、納米氧化鎂2-3、雙酚A型環氧樹脂0.5-1.5、熱固性酚醛樹脂1-2、二氨基二苯甲烷3-6、烏洛托品5-10、硬脂酸鈣4-8、復合粉3-5;???
所述復合粉的制備方法如下:a、按重量比3-5:2-4:1-2稱取葉臘石、鋁礬土和火山巖混合均勻,粉碎過200-300目篩,然后置于濃度為15-20%的鹽酸溶液中,加熱至沸騰并高速研磨10-15min,再用濃度為15-20%的氫氧化鈉溶液調節溶液PH至中性,60-70℃水浴溫度下攪拌5-10min,過濾,用蒸餾水洗凈濾渣,烘干;b、上述烘干的粉末加水打漿制成固含量為55-65%的漿料,再加入3-5%的六偏磷酸鈉、2-3%的十二烷基苯磺酸鈉、1-2%的蔗糖聚氧丙烯醚和2-3%的三乙醇胺,高速研磨10-15min,待用;c、取相當于葉臘石量15-25%的納米鋁溶膠加入攪拌機內,攪拌下加入1-2%的木質素磺酸鈉、3-4%的納米玉石粉、2-3%的納米氮化鋁、0.5-1%的納米鋅粉和1-2%的聚甘油脂肪酸酯,50-60℃水浴溫度下攪拌20-30min,待用;d、將步驟(c)處理后的納米鋁溶膠與步驟(b)制得的漿料混合均勻,加入5-8%的硅丙乳液、3-6%的聚醋酸乙烯乳液、2-3%的羧甲基纖維素鈉、0.5-1%的乙二醇丁醚和1-2%的十二碳醇酯,攪拌30-40min,過濾,烘干,粉碎,過200-300目篩即可;
上述制備方法中所述納米鋁溶膠的固含量為15-20%;所述硅丙乳液固含量為40-45%;所述聚醋酸乙烯乳液固含量為20-30%。
?????一種高強度低發氣覆膜砂的制備方法,包括以下步驟:將石英砂、天青石、硅灰石混合粉碎,過150-200目篩與乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、季戊四醇油酸酯和納米氧化鎂混碾60-80s,然后加熱至140-160℃,攪拌下加入雙酚A型環氧樹脂、熱固性酚醛樹脂和環氧大豆油混碾40-50s;砂溫降至100-110℃時,加入二氨基二苯甲烷和烏洛托品混碾10-15s,再加入硬脂酸鈣和復合粉混碾45-55s;砂溫降至70℃以下時,卸砂,冷卻,破碎,篩分即可。
????本發明的有益效果:
????本發明覆膜砂與傳統覆膜砂相比較,不僅強度高,耐熱性好,流動性好,粗糙度小,而且透氣性好,發氣量低,抑制氮氣的產生,能夠有效避免鑄件產生針孔、氮氣孔、粘砂等缺陷,大大提高了鑄件的成品率。
具體實施方式
????一種高強度低發氣覆膜砂,由以下重量份的原料制成:石英砂70、天青石20、硅灰石10、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷0.6、季戊四醇油酸酯5、環氧大豆油4、納米氧化鎂2、雙酚A型環氧樹脂1、熱固性酚醛樹脂1.5、二氨基二苯甲烷4、烏洛托品6、硬脂酸鈣5、復合粉4;???
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于銅陵市經緯流體科技有限公司,未經銅陵市經緯流體科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310472842.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:高K膜的制作方法及晶體管的形成方法
- 下一篇:等離子體室中的可調式接地平面





