[發(fā)明專利]具有低微調(diào)敏感度的溫度補(bǔ)償諧振器裝置及制造所述裝置的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310472514.2 | 申請日： | 2013-10-11 |
| 公開（公告）號： | CN103795369A | 公開（公告）日： | 2014-05-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 志強(qiáng)·畢;理查德·C·魯比 | 申請（專利權(quán)）人： | 安華高科技通用IP(新加坡)公司 |
| 主分類號： | H03H9/215 | 分類號： | H03H9/215;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 林斯凱 |
| 地址： | 新*** | 國省代碼： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 微調(diào) 敏感度 溫度 補(bǔ)償 諧振器 裝置 制造 方法 | ||
1.一種具有低微調(diào)敏感度以用于提供精確諧振頻率的溫度補(bǔ)償體聲波BAW諧振器裝置，所述裝置包括：
第一電極，其安置在襯底上；
壓電層，其安置在所述第一電極上；
第二電極層，其安置在所述壓電層上；及
聲鏡對，其安置在所述第二電極上，
其中所述第一電極及所述第二電極中的至少一者包括：
電極層；及
溫度補(bǔ)償層，其經(jīng)配置以補(bǔ)償至少所述壓電層的溫度系數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其進(jìn)一步包括：
鈍化層，其安置在所述聲鏡對上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述溫度補(bǔ)償層為囊封在所述電極層與導(dǎo)電插入物層內(nèi)的埋入溫度補(bǔ)償層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述溫度補(bǔ)償層具有錐形邊緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述襯底界定形成在所述第一電極下方的空腔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述襯底包括形成在所述第一電極下方的聲反射器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述聲鏡對包括：
低聲阻抗層，其沉積在所述第二電極上；及
高聲阻抗層，其沉積在所述低聲阻抗層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述低聲阻抗層包括二氧化硅(SiO2)、氮化鋁(AlN)、碳化硅(SiC)、硼硅玻璃(BSG)、氮化硅(SiN)、多晶硅及類似物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述高聲阻抗層包括鎢。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述鈍化層及所述壓電材料由同一材料形成。
11.一種具有多個體聲波BAW諧振器裝置的晶片，所述多個體聲波BAW諧振器裝置可通過切割所述晶片彼此分離，所述晶片包括：
第一電極層，其安置在襯底上；
壓電層，其安置在所述第一電極層上；
第二電極層，其安置在所述壓電層上；
低聲阻抗層，其安置在所述第二電極層上；
高聲阻抗層，其安置在所述低聲阻抗層上；及
溫度補(bǔ)償層，其埋入在所述第一電極層及所述第二電極層中的至少一者中，所述溫度補(bǔ)償層具有正溫度系數(shù)，
其中所述溫度補(bǔ)償層使得所述多個裝置能夠提供實(shí)質(zhì)上一致的溫度補(bǔ)償，且
其中所述低聲阻抗層及所述高聲阻抗層使得所述晶片能夠?qū)︻l率微調(diào)具有低敏感度，使得所述多個裝置提供實(shí)質(zhì)上一致的諧振頻率。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其進(jìn)一步包括：
鈍化層，其安置在所述高聲阻抗層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述多個裝置包括多個薄膜體聲諧振器FBAR或牢固安裝的諧振器SMR。
14.一種制造對頻率微調(diào)具有低敏感度且提供實(shí)質(zhì)上一致的溫度補(bǔ)償?shù)亩鄠€體聲波BAW諧振器裝置的方法，所述方法包括：
在晶片上的半導(dǎo)體襯底上形成第一電極層，所述第一電極包括溫度補(bǔ)償層；
在所述第一電極上形成壓電層；
在所述壓電層上形成第二電極層；
在所述第二電極上形成聲鏡對層，所述鏡對包括低聲阻抗層及高聲阻抗層；
在所述鏡對層上形成鈍化層；及
對所述低聲阻抗層、所述高聲阻抗層及所述鈍化層中的至少一者進(jìn)行頻率微調(diào)以調(diào)整所述多個BAW諧振器裝置的諧振頻率。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其進(jìn)一步包括：
在對所述低聲阻抗層、所述高聲阻抗層及所述鈍化層中的所述至少一者進(jìn)行頻率微調(diào)之后通過切割所述晶片將所述多個BAW諧振器裝置分割成單個化的裸片。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述第一電極層包括：
在所述半導(dǎo)體襯底上形成基電極層；
在所述基電極層上形成埋入溫度補(bǔ)償層；及
在所述埋入溫度補(bǔ)償層上形成導(dǎo)電插入物層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其進(jìn)一步包括：
在所述基電極層電極與所述半導(dǎo)體襯底之間形成空腔。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其進(jìn)一步包括：
在所述半導(dǎo)體襯底中形成聲反射器。
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