[發明專利]一種魔芋葡甘露聚糖/雜多酸復合質子導電膜的制備方法

有效

• 申請號: 201310471923.0
• 申請日: 2013-10-11
• 公開（公告）號: CN103490085A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 張亞萍;李建峰;李勁超;王磊;張帥
• 申請（專利權）人: 西南科技大學
• 主分類號: H01M8/10
• 分類號: H01M8/10;H01M8/02;C08J7/00;C08J5/22;C08L5/00;C08K3/32;C08K3/34
• 代理公司: 成都蓉信三星專利事務所(普通合伙) 51106
• 代理人: 劉克勤

1.?一種魔芋葡甘露聚糖/雜多酸復合質子導電膜的制備方法，其特征是包括下列步驟：

a、制備基膜：

將0.8～1.5質量份的魔芋葡甘露聚糖和0.2質量份的聚乙烯醇加入到100質量份的去離子水中，于室溫下攪拌至固體物溶解，得混合料；再滴加NaOH水溶液、調節混合料pH至9.5～10.5；將混合料升高溫度至55～65℃，加熱2～4小時，再靜置24小時后，將混合物料脫泡，于潔凈的玻璃板上流延成膜；再將附有膜的玻璃板置于60～80℃溫度下干燥6～8小時后，將膜從玻璃板上剝離下來，即制得魔芋葡甘露聚糖基膜；

b、制備魔芋葡甘露聚糖/雜多酸復合質子導電膜：

取雜多酸3～15質量份，與18～530質量份的去離子水混合，配制成雜多酸的水溶液；

將制得的魔芋葡甘露聚糖基膜于所述雜多酸的水溶液中浸泡8～24小時，取出再置于60～80℃溫度下干燥6～12小時；將干燥后的膜置于去離子水中浸泡、洗滌2～10小時，并且在去離子水中浸泡、洗滌的中途更換2～3次去離子水；取出，即制得魔芋葡甘露聚糖/雜多酸復合質子導電膜；

所述雜多酸為磷鎢酸。

2.按權利要求1所述魔芋葡甘露聚糖/雜多酸復合質子導電膜的制備方法，其特征是：步驟b?中所述磷鎢酸替換為磷鉬酸或硅鎢酸。

3.按權利要求1或2所述魔芋葡甘露聚糖/雜多酸復合質子導電膜的制備方法，其特征是：步驟a?中所述魔芋葡甘露聚糖為純化的魔芋葡甘露聚糖，該純化的魔芋葡甘露聚糖的制備方法為：將魔芋葡甘露聚糖精粉置于體積百分比濃度為50%的乙醇中浸提2次，然后用去離子水洗滌3次，溶脹后過濾，再用無水乙醇沉淀出初產品，初產品先用體積百分比濃度為95%的乙醇洗滌，然后用用無水乙醇洗滌，洗滌后的產品室溫下風干即制得純化的魔芋葡甘露聚糖。

4.按權利要求3所述魔芋葡甘露聚糖/雜多酸復合質子導電膜的制備方法，其特征是：所述乙醇替換為甲醇或丙酮。

5.按權利要求1、2或4所述魔芋葡甘露聚糖/雜多酸復合質子導電膜的制備方法，其特征是：步驟a?中所述制得魔芋葡甘露聚糖基膜的厚度為40～50μm。

6.按權利要求3所述魔芋葡甘露聚糖/雜多酸復合質子導電膜的制備方法，其特征是：步驟a?中所述制得魔芋葡甘露聚糖基膜的厚度為40～50μm。

7.按權利要求1、2、4或6所述魔芋葡甘露聚糖/雜多酸復合質子導電膜的制備方法，其特征是：步驟b中所述制得的魔芋葡甘露聚糖/雜多酸復合質子導電膜的厚度為50～70μm。

8.按權利要求3所述魔芋葡甘露聚糖/雜多酸復合質子導電膜的制備方法，其特征是：步驟b中所述制得的魔芋葡甘露聚糖/雜多酸復合質子導電膜的厚度為50～70μm。

9.按權利要求5所述魔芋葡甘露聚糖/雜多酸復合質子導電膜的制備方法，其特征是：步驟b中所述制得的魔芋葡甘露聚糖/雜多酸復合質子導電膜的厚度為50～70μm。