[發明專利]表面發射激光器裝置和原子振蕩器

有效

• 申請號: 201310471812.X
• 申請日: 2013-07-23
• 公開（公告）號: CN103579901A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 鈴木亮一郎;佐藤俊一
• 申請（專利權）人: 株式會社理光
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/42;H03L7/26
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張祥

1.一種表面發射激光器裝置，包括：

形成在基板上的下部反射器；

形成在所述下部反射器上的有源層；

形成在所述有源層上的上部反射器；

被配置為發光的多個表面發射激光器；以及

從所述有源層側被依次層疊并被設置在所述下部反射器內、所述下部反射器和所述有源層之間、所述上部反射器內或所述上部反射器和所述有源層之間的第二相調整層、接觸層、第一相調整層和波長調整層；

其中從所述第二相調整層的所述有源層側到所述波長調整層的中部的總光學厚度被設置為約(2N+1)×λ／4，其中λ代表所述表面發射激光器所發射的光的波長，N代表正整數；

其中從所述第二相調整層的所述有源層側到所述接觸層的中部的光學厚度被設置為約Nλ/2；以及

其中所述表面發射激光器包括具有被設置為不同厚度的波長調整層并且被配置為發射不同波長的光的第一表面發射激光器和第二表面發射激光器。

2.一種表面發射激光器裝置，包括：

形成在基板上的下部反射器，形成在所述下部反射器上的有源層，形成在所述有源層上的上部反射器；

被配置為發光的多個表面發射激光器；

從所述有源層側被依次層疊并被設置在所述下部反射器內或所述上部反射器內的第二相調整層、接觸層、第一相調整層和波長調整層；

其中從所述第二相調整層的所述有源層側到所述波長調整層的中部的總光學厚度被設置為約Nλ/2，其中λ代表所述表面發射激光器所發射的光的波長，N代表正整數；

其中從所述第二相調整層的所述有源層側到所述接觸層的中部的光學厚度被設置為約(2M-1)×λ／4，其中M代表正整數；以及

其中所述表面發射激光器包括具有被設置為不同厚度的波長調整層并且被配置為發射不同波長的光的第一表面發射激光器和第二表面發射激光器。

3.如權利要求1或2所述的表面發射激光器裝置，其中

所述上部反射器包括第一上部反射器和第二上部反射器，該第一上部反射器通過交替層疊具有不同折射率的第一組材料而形成，并且該第二上部反射器通過交替層疊具有不同折射率的第二組材料而形成；以及

所述第二上部反射器、所述第二相調整層、所述接觸層、所述第一相調整層、所述波長調整層和所述第一上部反射器從所述有源層側被依次層疊。

4.如權利要求1所述的表面發射激光器裝置，其中

所述第二相調整層、所述接觸層、所述第一相調整層、所述波長調整層和所述上部反射器從所述有源層側被依次層疊；并且

所述上部反射器通過交替層疊具有不同折射率的一組材料而制成。

5.如權利要求3所述的表面發射激光器裝置，其中

所述基板是顯示出導電性的半導體晶體基板；并且

所述下部反射器、所述有源層、所述第二上部反射器、所述第二相調整層、所述接觸層和所述第一相調整層通過在所述基板上外延生長半導體材料而形成。

6.如權利要求1-5中的任一項所述的表面發射激光器裝置，其中

至少一部分所述上部反射器通過交替層疊具有不同折射率的介電材料形成。

7.如權利要求1-6中的任一項所述的表面發射激光器裝置，其中

所述波長調整層包括由第一波長調整材料制成的第一膜和由第二波長調整材料制成的第二膜；

該第一膜和該第二膜通過濕法刻蝕被部分地去除；

用于刻蝕所述第一波長調整材料的第一刻蝕溶液與用于刻蝕所述第二波長調整材料的第二刻蝕溶液彼此不同；并且

該第一膜和該第二膜通過濕法刻蝕被一次一個地部分地去除，從而使得所述波長調整層的厚度被改變。

8.如權利要求7所述的表面發射激光器裝置，其中

所述第一波長調整材料包括GaInP；并且

所述第二波長調整材料包括GaAsP。

9.如權利要求1-8中的任一項所述的表面發射激光器裝置，其中

至少一個表面發射激光器所發射的光的波長被設置為780.2nm、795.0nm、852.3nm和894.6nm的至少一個。