[發(fā)明專利]一種等離子體處理設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310471093.1 | 申請日： | 2013-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN104576277A | 公開（公告）日： | 2015-04-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王洪青;周旭升;黃智林;其他發(fā)明人請求不公開姓名 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新區(qū)*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 等離子體 處理 設備 | ||
1.一種等離子體處理設備，包括一反應腔，所述反應腔下方設置一基座用于支撐待處理基片，所述基座下方設置一安裝板用于支撐所述基座，所述安裝板下方設置若干導體部件，其特征在于：所述安裝板下方環(huán)繞所述導體部件還設置一導體屏蔽裝置，所述導體屏蔽裝置遠離所述安裝板的一端到所述安裝板的垂直距離大于等于所述導體部件遠離所述安裝板的一端到所述安裝板的垂直距離。
2.根據(jù)權利要求1所述的等離子體處理設備，其特征在于：所述導體屏蔽裝置為金屬屏蔽裝置。
3.根據(jù)權利要求2所述的等離子體處理設備，其特征在于：所述金屬屏蔽裝置為上下直徑相同且具有一定高度的環(huán)形結構。
4.根據(jù)權利要求3述的等離子體處理設備，其特征在于：所述反應腔包括接地的反應腔側壁，所述導體屏蔽裝置外表面的不同位置到所述接地的反應腔側的垂直距離相等。
5.根據(jù)權利要求1的等離子體處理設備，其特征在于：所述反應腔內還設置一接地裝置，所述接地裝置形狀為上端口較大下端口逐漸收縮的碗狀結構。
6.根據(jù)權利要求5述的等離子體處理設備，其特征在于：所述導體屏蔽裝置為上端口較大下端口逐漸收縮的碗狀結構，所述導體屏蔽裝置與所述接地裝置形狀相匹配，所述導體屏蔽裝置外表面的不同位置到所述接地裝置的垂直距離相等。
7.根據(jù)權利要求1所述的等離子體處理設備，其特征在于：所述導體部件包括輸送冷卻液的金屬管道和輸送氦氣的金屬管道。
8.根據(jù)權利要求1的等離子體處理設備，其特征在于：所述下電極通過一導電棒連接射頻功率源，所述導電棒為實心結構。
9.根據(jù)權利要求1的等離子體處理設備，其特征在于：所述下電極通過一導電棒連接射頻功率源，所述導電棒為中空的圓柱形結構，所述導電棒和所述下電極設置若干電連接點。
10.根據(jù)權利要求1所述的等離子體處理設備，其特征在于：所述等離子體處理設備為電容耦合型等離子體處理設備，所述電容耦合型等離子體處理設備包括一上電極，所述上電極位于所述基片上方，與所述基座平行設置。
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