[發(fā)明專利]用于低功率電壓基準(zhǔn)和偏置電流發(fā)生器的方法和電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310470235.2
• 申請(qǐng)日: 2013-10-10
• 公開（公告）號(hào): CN103729011A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·馬里恩卡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美國亞德諾半導(dǎo)體公司
• 主分類號(hào): G05F1/567
• 分類號(hào): G05F1/567
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 申發(fā)振

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)是2012年7月9日提交的美國專利申請(qǐng)序列號(hào)13／544,609的部分繼續(xù)申請(qǐng)，所述美國專利申請(qǐng)是2009年3月31日提交的12／415,606(現(xiàn)在為美國專利號(hào)8,228,052)的繼續(xù)申請(qǐng)，上述各申請(qǐng)的內(nèi)容以引用的方式整體并入本文中。

版權(quán)和法律聲明

本專利文件公開內(nèi)容的一部分含有受版權(quán)保護(hù)的材料。版權(quán)擁有人不反對(duì)任何人傳真復(fù)制本專利文件或?qū)＠_，只要其出現(xiàn)在專利和商標(biāo)局專利文件或記錄中，但除此之外保留所有任何版權(quán)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明一般來說涉及電壓基準(zhǔn)，并且具體來說涉及使用帶隙電路實(shí)行的電壓基準(zhǔn)。本發(fā)明更具體來說涉及提供可以縮放和調(diào)整的絕對(duì)溫度比例(PTAT)電壓的電壓的電路和方法。

背景技術(shù)

常規(guī)的帶隙電壓基準(zhǔn)電路基于具有相反并且平衡的溫度斜率的兩個(gè)電壓分量的相加。

圖1圖示出常規(guī)的帶隙基準(zhǔn)的符號(hào)表示。其由電流源110、電阻器120和二極管130組成。要理解的是，二極管表示雙極型晶體管的基極-發(fā)射極結(jié)。二極管兩端的電壓降具有約-2.2mV／℃的負(fù)溫度系數(shù)TC，并且通常表示為絕對(duì)溫度互補(bǔ)(CTAT)電壓，這是因?yàn)槠漭敵鲋惦S溫度的升高而減小。這個(gè)電壓具有根據(jù)以下方程1的典型負(fù)溫度系數(shù)：

Vbe(T)=VG0(1-TT0)+Vbe(T0)*TT0-σ*KTq*ln(TT0)+KTq*ln(Ic(T)Ic(T0))]]>(方程1)這里，V_G0為絕對(duì)零度下的外推基極-發(fā)射極電壓，其達(dá)到1.2V；T為實(shí)際溫度；T₀為基準(zhǔn)溫度，其可為室溫(即，T＝300K)；V_be(T₀)為T₀下的基極-發(fā)射極電壓，其可以達(dá)到0.7V；σ為與飽和電流溫度指數(shù)有關(guān)的常數(shù)，其依賴工藝并且對(duì)于CMOS工藝可在3至5的范圍內(nèi)；K為玻爾茲曼常數(shù)，q為電子電荷，I_C(T)和I_C(T₀)分別為實(shí)際溫度T和T₀下的對(duì)應(yīng)的集電極電流。