[發(fā)明專利]TFT陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310470077.0
• 申請日: 2013-10-10
• 公開（公告）號: CN103969865B
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發(fā)明（設計）人: 王聽海;曹兆鏗
• 申請（專利權）人: 上海中航光電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;H01L27/32
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 孟金喆

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術

目前，平板顯示器，如液晶顯示器（Liquid Crystal Display，LCD)和有機發(fā)光顯示器（Organic Light Emit Display，OLED)等，由于其具有體積小、重量輕、厚度薄、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導地位。在成像過程中，平板顯示器中每一像素點都由集成在陣列基板中的薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)來驅(qū)動，再配合外圍驅(qū)動電路，實現(xiàn)圖像顯示，TFT是控制發(fā)光的開關，是實現(xiàn)液晶顯示器LCD和有機發(fā)光顯示器OLED大尺寸化的關鍵，直接關系到高性能平板顯示器的發(fā)展方向。隨著對產(chǎn)品的分辨率和顯示效果的要求越來越高，在TFT基板結構中，如何減少公共電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容，從而達到減少閃爍（Flicker）不均的效果，成為了本領域技術人員亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種TFT陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置。

一種TFT陣列基板，包括基板，數(shù)據(jù)線，位于基板的上方；以及柵絕緣層，位于基板的上方，所述柵絕緣層包括凹槽，所述數(shù)據(jù)線位于所述凹槽內(nèi)。

相應的，本發(fā)明還提供一種制造上述TFT陣列基板的方法，包括在基板上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層形成凹槽；以及設置數(shù)據(jù)線，其中所述數(shù)據(jù)線位于所述凹槽內(nèi)。

相應的，本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括如上所述的TFT陣列基板；以及彩膜基板，與所述TFT陣列基板相對設置。

相應的，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括如上所述的TFT陣列基板。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有如下突出的優(yōu)點之一：

本發(fā)明的TFT陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置，通過在柵絕緣層上設置凹槽，并將數(shù)據(jù)線設置在柵絕緣層的凹槽內(nèi)，可以達到以下至少一個效果：減少數(shù)據(jù)線和公共電極之間的耦合電容，降低數(shù)據(jù)線產(chǎn)生的電場干擾，降低閃爍（Flicker）不均和串擾（Crosstalk），提高基板制備的良率，提高了顯示品質(zhì)。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例一的TFT陣列基板的第一種部分結構示意圖；

圖2是本發(fā)明實施例一TFT陣列基板沿AA’線的第一種剖面示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例一TFT陣列基板沿AA’線的第二種剖面示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例一的TFT陣列基板的第二種部分結構示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例一TFT陣列基板沿AA’線的第三種剖面示意圖；

圖6是本發(fā)明實施例一TFT陣列基板沿AA’線的第四種剖面示意圖；

圖7是本發(fā)明實施例二TFT陣列基板的部分結構示意圖；

圖8a是本發(fā)明實施例二的TFT陣列基板沿AA’線的剖面示意圖；

圖8b是本發(fā)明實施例二的TFT陣列基板沿BB’線的剖面示意圖；

圖9是本發(fā)明的實施例一TFT陣列基板制造工藝的流程圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面將結合附圖和實施例對本發(fā)明做進一步說明。

需要說明的是：

在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式的限制。

實施例一