[發明專利]半導體裝置的硅穿孔雙向修補電路有效
| 申請號: | 201310469842.7 | 申請日: | 2013-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN103915419B | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發明(設計)人: | 曾珮玲;蘇耿立 | 申請(專利權)人: | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號: | H01L23/58 | 分類號: | H01L23/58;H01L25/16 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 穿孔 雙向 修補 電路 | ||
1.一種半導體裝置的硅穿孔雙向修補電路,包括:
第一芯片以及第二芯片,該第一芯片與該第二芯片相互上下堆迭;
第一雙向開關以及第二雙向開關,分別設置于該第一芯片以及該第二芯片,該第一雙向開關及該第二雙向開關分別接收切換信號及反相切換信號以決定導引該第一芯片或該第二芯片的輸入信號到其輸出端;
至少兩個傳輸路徑模塊,各該傳輸路徑模塊的兩端分別連接該第一雙向開關的輸出端以及該第二雙向開關的輸出端,且各該傳輸路徑模塊包括至少一硅穿孔;以及
第一輸出邏輯電路以及第二輸出邏輯電路,分別設置于該第二芯片以及該第一芯片,該第一輸出邏輯電路的至少兩輸入端以及該第二輸出邏輯電路的至少兩輸入端分別連接該至少一硅穿孔的第二端以及第一端以分別接收至少兩個第一傳輸信號以及至少兩個第二傳輸信號,從而分別產生第一輸出信號以及第二輸出信號,
其中,每個傳輸路徑模塊包括:
該至少一硅穿孔,各該硅穿孔分別穿透硅基板以相互傳遞該第一芯片與該第二芯片之間的信號;
第一數據路徑電路以及第二數據路徑電路,分別設置于該第一芯片以及該第二芯片,該第一數據路徑電路的輸入端以及該第二數據路徑電路的輸入端分別連接該第一雙向開關的輸出端以及第二雙向開關的輸出端以接收該第一芯片的輸入信號或該第二芯片的輸入信號,且該第一數據路徑電路的輸出端以及該第二數據路徑電路的輸出端分別連接該至少一硅穿孔的第一端以及第二端,以透過該至少一硅穿孔且依據該切換信號或該反相切換信號傳遞數據;以及
其中該第一數據路徑電路以及該第二數據路徑電路分別包括:
輸入驅動電路,接收該輸入信號,依據第一準位電壓與第二準位電壓以轉換該輸入信號為待傳信號,并將該待傳信號傳送至該至少一硅穿孔的對應端點;
短路偵測電路,連接該至少一硅穿孔的對應端點,依據該輸入信號、該反相切換信號或該切換信號以及該至少一硅穿孔對應端點的電位以偵測該至少一硅穿孔是否與該硅基板發生短路,并產生短路偵測輸出信號;以及
漏電流消除電路,連接該短路偵測電路以及該輸入驅動電路,依據該短路偵測輸出信號以避免由該第一準位電壓所產生的漏電流流入該硅基板。
2.如權利要求1所述的硅穿孔雙向修補電路,其中該至少兩個傳輸路徑模塊包括第一傳輸路徑模塊以及第二傳輸路徑模塊,
其中該第一傳輸路徑模塊以及該第二傳輸路徑模塊中的各該第一數據路徑電路分別經由對應的該至少一硅穿孔以傳送該第一傳輸路徑模塊的第一傳輸信號和該第二傳輸路徑模塊的第一傳輸信號至該第一輸出邏輯電路,且該第一傳輸路徑模塊以及該第二傳輸路徑模塊中的各該第二數據路徑電路分別經由對應的該至少一硅穿孔以傳送該第一傳輸路徑模塊的第二傳輸信號和該第二傳輸模塊的第二傳輸信號至該第二輸出邏輯電路。
3.如權利要求2所述的硅穿孔雙向修補電路,其中該第一輸出邏輯電路包括:
第二或非門,其第一輸入端以及第二輸入端分別透過該至少一硅穿孔的第二端接收兩個第一傳輸信號,該第二或非門的輸出端產生該第一輸出信號,并且,
該第二輸出邏輯電路包括:
第三或非門,其第一輸入端以及第二輸入端分別透過該至少一硅穿孔的第一端接收兩個第二傳輸信號,該第三或非門的輸出端產生該第二輸出信號。
4.如權利要求2所述的硅穿孔雙向修補電路,其中該至少兩個傳輸路徑模塊還包括第三傳輸路徑模塊,其中該第三傳輸路徑模塊中的該第一數據路徑電路經由對應的該至少一硅穿孔以傳送該第三傳輸路徑模塊的第一傳輸信號至該第一輸出邏輯電路,且該第三傳輸路徑模塊中的該第二數據路徑電路經由對應的該至少一硅穿孔以傳送該第三傳輸路徑模塊的第二傳輸信號至該第二輸出邏輯電路。
5.如權利要求4所述的硅穿孔雙向修補電路,其中該第一輸出邏輯電路包括:
第四或非門,其第一輸入端、第二輸入端以及第三輸入端分別透過該至少一硅穿孔的第二端接收三個第一傳輸信號,該第四或非門的輸出端產生第一輸出信號,并且,
該第二輸出邏輯電路包括:
第五或非門,其第一輸入端、第二輸入端以及第三輸入端分別透過該至少一硅穿孔的第一端接收三個第二傳輸信號,該第五或非門的輸出端產生該第二輸出信號。
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