[發明專利]一種過壓及欠壓保護電路

有效

• 申請號: 201310469788.6
• 申請日: 2013-10-10
• 公開（公告）號: CN103490388A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 顏廷華
• 申請（專利權）人: 濟南沃爾電子有限公司
• 主分類號: H02H7/12
• 分類號: H02H7/12
• 代理公司: 濟南誠智商標專利事務所有限公司 37105
• 代理人: 王汝銀

技術領域

本發明涉及一種電子電路，具體地說是一種過壓及欠壓保護電路，屬于開關電源電壓保護技術領域。

背景技術

當開關電源的供電電壓低于或者高于正常工作電壓一定值時，都可能導致電源無法正常工作甚至損壞。為了解決上述問題，人們設計了過壓、欠壓保護電路，目前常用的過壓及欠壓保護電路是使用繼電器由另一個輔助電源供電來控制其通斷達到保護的目的。繼電器反應速度慢，且需要另外提供一個電源來給繼電器供電，這樣不僅導致功耗增加，而且輔助電源的保護也是一個問題。

發明內容

針對上述不足，本發明提供了一種過壓及欠壓保護電路，其不僅能夠對供電電源進行過壓、欠壓保護，而且消耗功耗低。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：一種過壓及欠壓保護電路，包括連接在電源電路中的欠壓保護電路、過壓保護電路和輸出控制電路，其特征是，所述欠壓保護電路由電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電容C1、電容C2、穩壓二極管DZ1、穩壓二極管DZ2、三極管Q1和三極管Q2組成,所述過壓保護電路由電阻R6、電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻R10、電容C3、電容C4、穩壓二極管DZ3、穩壓二極管DZ4、穩壓二極管DZ5、三極管Q3和三極管Q4組成，所述輸出控制電路由電阻R11、電容C5、晶體管Q5和二極管D1組成；

其中，電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R6、電阻R7和電阻R8的一端與電源電路的正極連接，所述電阻R1的另一端與電阻R4的一端、電阻R5的一端、穩壓二極管DZ2的負極和電容C2的一端連接，所述穩壓二極管DZ2的正極與電容C1的一端和三極管Q2的基極連接，所述電阻R2的另一端與電容C1的另一端、三極管Q2的集電極和穩壓二極管DZ1的負極連接，所述電阻R3的另一端與電阻R4的另一端、三極管Q1的集電極和晶體管Q5的柵極連接，所述三極管Q1的基極與穩壓二極管DZ1的正極連接，所述三極管Q1的發射極與電容C2的另一端、電阻R5的另一端、三極管Q2的發射極、晶體管Q5的源極和電容C5的一端連接并接地，所述電阻R6的另一端與電阻R9的一端、電阻R10的一端、穩壓二極管DZ4的負極和電容C4的一端連接，所述穩壓二極管DZ4的正極與電容C3的一端和三極管Q4的基極連接，所述電阻R7的另一端與電容C3的另一端、三極管Q4的集電極、穩壓二極管DZ3的負極和晶體管Q5的柵極連接，所述電阻R8的另一端與電阻R9的另一端、三極管Q3的集電極和穩壓二極管DZ5的負極連接，所述三極管Q3的基極與穩壓二極管DZ3的正極連接，所述三極管Q3的發射極與電容C4的另一端、電阻R10的另一端、三極管Q4的發射極、穩壓二極管DZ5的正極和電源電路輸入端負極連接并接地，所述電容C5的另一端與電阻R11的一端和二極管D1的負極連接，所述晶體管Q5的漏極與電阻R11的另一端和二極管D1的正極和電源電路輸出端負極連接。

優選地，所述的三極管Q1、三極管Q2、三極管Q3和三極管Q4均采用NPN型三極管。

優選地，所述的晶體管Q5采用N型MOS晶體管。

本發明具有以下突出的有益效果：采用上述結構后，本發明所述的過壓及欠壓保護電路采用了無源器件，無需外部電源供電，從電源電路的輸入端汲取極微小的電流即可為自身電路進行供電，其不僅能夠對供電電源進行過壓和欠壓保護，而且消耗功耗低、反應速度快。

附圖說明

下面結合附圖對本發明作進一步說明：

圖1是本發明的原理電路圖。

具體實施方式

如圖1所示，本發明的一種過壓及欠壓保護電路，它包括連接在電源電路中的欠壓保護電路、過壓保護電路和輸出控制電路，所述欠壓保護電路由電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電容C1、電容C2、穩壓二極管DZ1、穩壓二極管DZ2、NPN型三極管Q1和NPN型三極管Q2組成,所述過壓保護電路由電阻R6、電阻R7、電阻R8、電阻R9、電阻R10、電容C3、電容C4、穩壓二極管DZ3、穩壓二極管DZ4、穩壓二極管DZ5、NPN型三極管Q3和NPN型三極管Q4組成，所述輸出控制電路由電阻R11、電容C5、N型MOS晶體管Q5和二極管D1組成；