[發明專利]有源矩陣有機電致發光顯示器件、顯示裝置及其制作方法有效
| 申請號: | 201310468481.4 | 申請日: | 2013-10-09 |
| 公開(公告)號: | CN103489894A | 公開(公告)日: | 2014-01-01 |
| 發明(設計)人: | 周伯柱;黃寅虎;陳程 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;H01L29/786;H01L29/423;H01L29/417;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 230012 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有源 矩陣 有機 電致發光 顯示 器件 顯示裝置 及其 制作方法 | ||
1.一種有源矩陣有機電致發光顯示器件,包括襯底基板和形成于所述襯底基板上的多個像素單元,所述像素單元包括驅動區域和發光區域,其中所述驅動區域布置有至少兩個薄膜晶體管;所述發光區域布置有通過所述薄膜晶體管驅動的有機電致發光結構;其特征在于,所述薄膜晶體管為頂柵極結構,其包括:
形成于所述襯底基板上的有源層;
形成于所述有源層的遠離所述襯底基板一側的源、漏極;
形成于所述源、漏極的遠離所述有源層一側,并覆蓋整個所述驅動區域和所述發光區域的鈍化層;以及,
形成于所述鈍化層的遠離所述源、漏極一側的柵極。
2.根據權利要求1所述的有源矩陣有機電致發光顯示器件,其特征在于,在所述柵極的遠離所述襯底基板的一側還覆蓋有像素隔離層。
3.根據權利要求1所述的有源矩陣有機電致發光顯示器件,其特征在于,所述有機電致發光結構為頂部發光結構,其包括:
形成于所述鈍化層的遠離所述襯底基板一側,并設置于與所述發光區域相對應位置的陰極,所述陰極與所述源、漏極電性連接;
形成于所述陰極的遠離所述襯底基板一側的有機功能層;
以及,形成于所述有機功能層的遠離所述陰極一側的陽極。
4.根據權利要求3所述的有源矩陣有機電致發光顯示器件,其特征在于,所述陰極與所述柵極處于同一層。
5.根據權利要求3所述的有源矩陣有機電致發光顯示器件,其特征在于,至少兩個薄膜晶體管包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管,所述鈍化層在與所述第一薄膜晶體管的源、漏極對應的位置形成有第一過孔;其中所述第一薄膜晶體管的源、漏極通過所述第一過孔與所述第二薄膜晶體管的柵極電性連接。
6.根據權利要求5所述的有源矩陣有機電致發光顯示器件,其特征在于,所述鈍化層在與所述第二薄膜晶體管的源、漏極對應的位置形成有第二過孔;所述有機電致發光結構的陰極通過所述第二過孔與所述第二薄膜晶體管的源、漏極電性連接。
7.根據權利要求3所述的有源矩陣有機電致發光顯示器件,其特征在于,所述有機功能層包括:
形成于所述陰極的遠離所述鈍化層一側的電子傳輸層;
形成于所述電子傳輸層的遠離所述陰極一側的有機發光層;
以及,形成于所述有機發光層的遠離所述電子傳輸層一側的空穴傳輸層。
8.根據權利要求1所述的有源矩陣有機電致發光顯示器件,其特征在于,所述有源矩陣有機電致發光顯示器件還包括與所述源、漏極連接的數據信號線和電源線,其中所述數據信號線和所述電源線與所述源、漏極處于同一層。
9.一種顯示裝置,其特征在于,其包括如權利要求1至8任一項所述的有源矩陣有機電致發光顯示器件。
10.一種有源矩陣有機電致發光顯示器件的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
在襯底基板上形成有源層及位于所述有源層兩側的源、漏極;
在所述源、漏極上形成鈍化層;
在所述鈍化層上形成柵極。
11.根據權利要求10所述的有源矩陣有機電致發光顯示器件的制作方法,其特征在于,所述方法具體包括:
在襯底基板上依次沉積半導體層和第一金屬層,通過第一次構圖工藝形成有源層和位于所述有源層兩側的源、漏極;
在所述源漏、極上覆蓋整個像素單元沉積第一絕緣層,并通過第二次構圖工藝形成鈍化層;
在所述鈍化層上沉積第二金屬層,并通過第三次構圖工藝形成柵極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





