[發明專利]觸控面板在審
| 申請號： | 201310468186.9 | 申請日： | 2013-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN104516568A | 公開（公告）日： | 2015-04-15 |
| 發明（設計）人： | 陳麒安 | 申請（專利權）人： | 恒顥科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G06F3/041 | 分類號： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人： | 壽寧;張華輝 |
| 地址： | 中國臺灣*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 面板 | ||
1.一種觸控面板，其特征在于包括：
抗反射層，包括至少一個復合折射率三層結構；
傳輸電極層、絕緣層及接收電極層，設于該抗反射層之下，其中該絕緣層設于該傳輸電極層與該接收電極層之間；及
多個虛擬電極，設于該絕緣層之下的該傳輸電極層或該接收電極層內。
2.根據權利要求1所述的觸控面板，其特征在于：更包括透明覆蓋層，設于該抗反射層之上。
3.根據權利要求1所述的觸控面板，其特征在于：更包括透明基板，設于該傳輸電極層、該絕緣層及該接收電極層之下。
4.根據權利要求1所述的觸控面板，其特征在于：其中該抗反射層由上而下包括第一低折射率層、高折射率層及第二低折射率層，其中該高折射率層的光折射率大于該第一低折射率層、該第二低折射率層的光折射率。
5.根據權利要求4所述的觸控面板，其特征在于：其中該第一低折射率層的厚度為10-200微米，該高折射率層的厚度為10-500微米，且該第二低折射率層的厚度為10-500微米。
6.根據權利要求4所述的觸控面板，其特征在于：其中該第一低折射率層、該高折射率層及該第二低折射率層包括氮化硅及二氧化硅。
7.根據權利要求1所述的觸控面板，其特征在于：其中設于該絕緣層之下的該傳輸電極層或該接收電極層包括多個電極列，且該虛擬電極設于上述相鄰電極列之間，并與上述電極列位于同一層級。
8.根據權利要求1所述的觸控面板，其特征在于：其中該虛擬電極圖案化以形成多個虛擬子電極。
9.根據權利要求8所述的觸控面板，其特征在于：其中上述相鄰虛擬子電極之間的距離小于30微米。
10.一種觸控面板，其特征在于包括：
傳輸電極層；
絕緣層，設于該傳輸電極層之下；
接收電極層，設于該絕緣層之下；及
多個虛擬電極，設于該接收電極層內，其中該接收電極層與該虛擬電極電性連接至相同電位。
11.根據權利要求10所述的觸控面板，其特征在于：其中該虛擬電極未圖案化。
12.根據權利要求10所述的觸控面板，其特征在于：其中該虛擬電極圖案化以形成多個虛擬子電極，且上述相鄰虛擬子電極之間為實體相連接。
13.根據權利要求10所述的觸控面板，其特征在于：其中該接收電極層與該虛擬電極電性連接至地。
14.根據權利要求10所述的觸控面板，其特征在于：更包括抗反射層，設于該傳輸電極層之上。
15.根據權利要求14所述的觸控面板，其特征在于：更包括透明覆蓋層，設于該抗反射層之上。
16.根據權利要求10所述的觸控面板，其特征在于：更包括透明基板，設于該接收電極層之下。
17.根據權利要求10所述的觸控面板，其特征在于：其中該接收電極層包括多個電極列，且該虛擬電極設于上述相鄰電極列之間，并與上述電極列位于同一層級。
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