[發(fā)明專利]多孔金字塔減反射結構制備方法及HIT太陽能電池制備工藝

有效

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• 申請日: 2013-10-10
• 公開（公告）號: CN103474518A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設計）人: 陸中丹;石建華
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20
• 代理公司: 常州市科誼專利代理事務所 32225
• 代理人: 孫彬

1.一種多孔金字塔減反射結構制備方法，其特征在于該方法的步驟如下：

1）對單晶硅襯底進行清洗制絨，使其表面形成金字塔結構的絨面；

2）將具有所述金字塔結構的單晶硅襯底浸沒在酸性溶液中進行處理；

3）采用反應離子刻蝕方法對經(jīng)過步驟2）處理的單晶硅襯底進行刻蝕，在金字塔結構上制備納米結構，使經(jīng)過步驟2）處理的單晶硅襯底表面形成多孔狀金字塔結構，并通過控制刻蝕的時間，控制多孔狀金字塔結構的孔洞的尺寸大小；

4）將經(jīng)過步驟3）處理后的單晶硅襯底進行堿刻蝕，使多孔狀金字塔結構的孔洞的尺寸大小控制在0.8~2微米，得到該太陽能電池表面的多孔金字塔減反射結構。

2.根據(jù)權利要求1所述的多孔金字塔減反射結構制備方法，其特征在于：在步驟1）中，采用KOH和異丙醇的混合溶液，對單晶硅襯底進行清洗制絨，使其表面形成金字塔結構的絨面，其中，KOH的溶液的百分比濃度為1%~5%，異丙醇的溶液百分比濃度為5%~10%，處理的溫度范圍在75℃-85℃，處理時間為20-30min。

3.根據(jù)權利要求1所述的多孔金字塔減反射結構制備方法，其特征在于：在步驟2）中，所述的酸性溶液為Na₂S₂O₈和AgNO₃的混合溶液，并通過HNO₃控制溶液的PH值小于3，處理時間為4-8min，處理溫度為60℃，其中，n(Na₂S₂O₈)：n(AgNO₃)=0.05%~0.1%。

4.根據(jù)權利要求1所述的多孔金字塔減反射結構制備方法，其特征在于：在步驟4）中，采用溶液百分比濃度為10%~15%的KOH溶液對單晶硅襯底進行堿刻蝕，并控制處理時間為1~2min，處理溫度為70℃-80℃。

5.一種HIT太陽能電池制備工藝，其特征在于該工藝的步驟如下：

1）提供一單晶硅襯底；

2）采用如權利要求1至4中任一項所述的多孔金字塔減反射結構的制備方法在單晶硅襯底上制備多孔金字塔減反射結構；

3）在單晶硅襯底的正面上沉積本征非晶硅膜；

4）在步驟3）中的本征非晶硅膜的正面上沉積P型重摻雜非晶硅膜；

5）在單晶硅襯底的背面上沉積本征非晶硅膜；

6）在步驟5）的本征非晶硅膜的背面上沉積N型重摻雜非晶硅膜；

7）在P型重摻雜非晶硅膜的正面上沉積TCO透明導電薄膜；

8）在N型重摻雜非晶硅膜的背面上沉積TCO透明導電薄膜；

9）在步驟8）中的TCO透明導電薄膜的背面上絲網(wǎng)印刷背面電極；

10）在步驟7）中的TCO透明導電薄膜的正面上絲網(wǎng)印刷正面電極。

6.根據(jù)權利要求5所述的HIT太陽能電池制備工藝，其特征在于：所述的步驟3）、步驟4）、步驟5）和步驟6）中的沉積方法采用等離子體增強化學氣相沉積法。

7.根據(jù)權利要求5所述的HIT太陽能電池制備工藝，其特征在于：所述的步驟7）和步驟8）中的沉積方法采用PRD沉積法。

8.根據(jù)權利要求5所述的HIT太陽能電池制備工藝，其特征在于：所述的兩層本征非晶硅膜的厚度為5~10nm，所述的P型重摻雜非晶硅膜的厚度為8nm，所述的N型重摻雜非晶硅膜的厚度為20nm~30nm，所述的兩層TCO透明導電薄膜的厚度為80nm。