[發明專利]多晶硅片的制絨輔助劑及制絨工藝有效
| 申請號： | 201310467329.4 | 申請日： | 2013-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN104562011B | 公開（公告）日： | 2018-06-26 |
| 發明（設計）人： | 吳新正;陳靜;胡彭年;張愿成;朱旭;張軍;趙欣侃 | 申請（專利權）人： | 上海太陽能工程技術研究中心有限公司 |
| 主分類號： | C23F1/24 | 分類號： | C23F1/24 |
| 代理公司： | 上海科盛知識產權代理有限公司 31225 | 代理人： | 楊元焱 |
| 地址： | 200241 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制絨 多晶硅片 輔助劑 去離子水 制絨工藝 沖洗 配制 反射率 表面活性劑溶液 體積百分比 電池效率 酸腐蝕 無毒性 乙二酸 吹干 堿洗 酸洗 應用 | ||
1.一種多晶硅片的制絨輔助劑，其特征在于，由以下組分按體積百分比配制而成：
表面活性劑溶液 15％～25％；
乙二酸溶液 20％～30％；
去離子水 45％～65％；
所述表面活性劑選自全氟烷基羧酸、全氟烷基胺及全氟烷基聚醚的復配。
2.根據權利要求1所述的多晶硅片的制絨輔助劑，其特征在于：所述表面活性劑溶液中，表面活性劑的重量百分含量為0.5～2％。
3.根據權利要求1所述的多晶硅片的制絨輔助劑，其特征在于：所述乙二酸溶液中，乙二酸的重量百分含量為1％～5％。
4.采用權利要求1所述多晶硅片的制絨輔助劑的制絨工藝，其特征在于，包括以下順序進行的步驟：
(a)配制制絨輔助劑
將表面活性劑溶液、乙二酸溶液和去離子水按照所述體積百分比配制成制絨輔助劑；
(b)酸腐蝕
在常用多晶制絨硝酸和氫氟酸混合液中，加入制絨輔助劑，配制成酸腐蝕液，其中制絨輔助劑的加入體積為酸腐蝕液總體積的5％，然后向酸腐蝕液中投入硅片進行酸腐蝕；
(c)第一次去離子水沖洗
取出硅片，用去離子水清洗硅片表面剩余的酸及有機物；
(d)堿洗
用堿液洗滌硅片，去除酸腐蝕后在硅片表面形成的多孔硅；
(e)第二次去離子水沖洗
用去離子水清洗硅片表面剩余的堿；
(f)酸洗
用酸液洗滌硅片，中和硅片表面剩余的堿，以及去除重金屬離子；
(g)第三次去離子水沖洗
用去離子水清洗硅片表面剩余的酸；
(h)吹干
將硅片吹干；
所述表面活性劑選自全氟烷基羧酸、全氟烷基胺及全氟烷基聚醚的復配。
5.根據權利要求4所述的制絨工藝，其特征在于：所述表面活性劑溶液中，表面活性劑的重量百分含量為0.5～2％。
6.根據權利要求4所述的制絨工藝，其特征在于：所述乙二酸溶液中，乙二酸的重量百分含量為1％～5％。
7.根據權利要求4所述的制絨工藝，其特征在于：步驟(b)中的酸腐蝕溫度為5～25，℃腐蝕時間為60～200s；步驟(d)中的堿洗溫度為30～℃40，℃堿洗時間為15～45s。
8.根據權利要求7所述的制絨工藝，其特征在于：步驟(b)中的酸腐蝕溫度為5～10℃，腐蝕時間為100～150s。
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