[發明專利]半導體鍍金屬的改進方法有效
| 申請號： | 201310466628.6 | 申請日： | 2013-07-09 |
| 公開（公告）號： | CN103540983A | 公開（公告）日： | 2014-01-29 |
| 發明（設計）人： | 魏凌云;G·哈姆;N·小卡拉亞 | 申請（專利權）人： | 羅門哈斯電子材料有限公司 |
| 主分類號： | C25D7/12 | 分類號： | C25D7/12;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 王穎 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 鍍金 改進 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種方法，主要由以下步驟組成：
a)提供包括正面、背面和pn結的半導體，所述正面包括導電軌跡圖案和匯流條，導電軌跡和匯流條包括底層，以及背面包括金屬接觸層；
b)將半導體與低內應力鍍銅組合物接觸；
以及
c)在導電軌跡和匯流條的底層附近鍍覆低內應力銅層。
2.根據權利要求1所述方法，其中低內應力銅是使用電鍍或光引發鍍覆鍍上的。
3.根據權利要求1所述方法，其中底層選自鎳和鈷。
4.根據權利要求1所述方法，進一步主要包括在200℃或更低的溫度下將互連帶連接到匯流條的步驟。
5.根據權利要求4所述方法，其中溫度為150℃至200℃。
6.根據權利要求1所述方法，其中底層為20nm至2μm厚。
7.根據權利要求1所述方法，其中低應力銅層是1μm至50μm厚。
8.根據權利要求1所述方法，進一步主要包括在低應力銅層上沉積金屬閃層或有機可焊性保護層。
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