[發(fā)明專利]P型雙面太陽(yáng)電池的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310466393.0 | 申請(qǐng)日： | 2013-10-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103474515A | 公開（公告）日： | 2013-12-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 賈河順;姜言森;方亮;任現(xiàn)坤;徐振華;張春艷;馬繼磊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 山東力諾太陽(yáng)能電力股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/18 | 分類號(hào)： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 濟(jì)南舜源專利事務(wù)所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 250103 山東省濟(jì)南*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 雙面 太陽(yáng)電池 制作方法 | ||
1.一種P型雙面太陽(yáng)電池的制作方法，依次包括以下步驟：
①晶硅表面制絨；
②在晶硅的背面局部印刷遮擋層；
③雙面硼擴(kuò)散；
④去除遮擋層和硼硅玻璃層；
⑤雙面減反射膜制備；
⑥絲網(wǎng)印刷及燒結(jié)。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的P型雙面太陽(yáng)電池的制作方法，其特征在于，步驟②中在晶硅背面用絲網(wǎng)印刷、噴涂或旋涂方法形成局部遮擋層。
3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的P型雙面太陽(yáng)電池的制作方法，其特征在于，步驟②中遮擋層為石蠟和/或氧化硅。
4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的P型雙面太陽(yáng)電池的制作方法，其特征在于，步驟④中去除遮擋層用HF、HCl和HNO3混合液進(jìn)行化學(xué)腐蝕。
5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的P型雙面太陽(yáng)電池的制作方法，其特征在于，步驟⑤的減反射膜為氮化硅、氧化硅、氧化鋁中的一種或者幾種。
6.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的P型雙面太陽(yáng)電池的制作方法，其特征在于，步驟⑥中，正面絲網(wǎng)印刷Ag電極。
7.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的P型雙面太陽(yáng)電池的制作方法，其特征在于，步驟⑥中，在步驟②的遮擋層位置絲網(wǎng)印刷背面電極a。
8.?根據(jù)權(quán)利要求7所述的P型雙面太陽(yáng)電池的制作方法，其特征在于，步驟⑥中，在遮擋層之外的位置印刷背面電極b。
9.?根據(jù)權(quán)利要求7所述的P型雙面太陽(yáng)電池的制作方法，其特征在于，步驟⑥中，背面電極a為Ag或Al電極，背面電極b為Ag電極。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
