[發明專利]一種儲能散熱片及其制備方法

有效

• 申請號: 201310465860.8
• 申請日: 2013-09-30
• 公開（公告）號: CN103545273A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 謝佑南
• 申請（專利權）人: 深圳市鴻富誠屏蔽材料有限公司
• 主分類號: H01L23/373
• 分類號: H01L23/373;H01L23/427;H01L21/48
• 代理公司: 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288
• 代理人: 李悅;齊文劍

1.一種儲能散熱片，其特征在于，包括金屬層，在金屬層的一個側面上涂覆有導熱硅膠層，在金屬層的另一個側面上涂覆有相變材料層。

2.根據權利要求1所述的儲能散熱片，其特征在于：所述金屬層為銅箔或者鋁箔，其厚度為0.01-0.05mm。

3.根據權利要求1所述的儲能散熱片，其特征在于：所述導熱硅膠層由按重量份計的以下原料制備而成：甲基乙烯基硅橡膠?4-6份、乙烯基硅膠?14-16份、二甲基硅油?19-21份、球形氧化鋁粉190-200份、含氫硅油?0.5-1.5份、鉑金催化劑?0.5-1份。

4.根據權利要求3所述的儲能散熱片，其特征在于：所述導熱硅膠層的導熱系數為2-3w/mk，導熱硅膠層的厚度為0.01-0.1mm。

5.根據權利要求1所述的儲能散熱片，其特征在于：所述相變材料層由按重量份計的以下原料制備而成：聚異丁烯14-16份、切片石蠟9-11份、球形氧化鋁粉73-75份、偶聯劑0.5-1份、分散劑0.5-1份。

6.根據權利要求5所述的儲能散熱片，其特征在于：所述相變材料層的導熱系數為1.5-2.0w/mk，相變溫度為45-60℃，相變材料層的厚度為0.01-0.1mm。

7.一種儲能散熱片的制備方法，其特征在于包括以下工藝步驟:

1）準備原料：a、取一塊銅箔或者鋁箔；b、取導熱硅膠基料；c、取相變材料基料;

2)將步驟1）中的導熱硅膠基料均勻涂覆于金屬層的一側的外表面上，放置于隧道爐中進行硫化，硫化完成后，形成導熱硅膠層；?

3)?將步驟1）中的相變材料基料均勻熱涂覆于金屬層的另一側的外表面上，控制熱涂覆的溫度為60-80℃，形成相變材料層?；從而最終得到儲能散熱片。

8.根據權利要求7所述的儲能散熱片的制備方法，其特征在于:?在步驟1）中，導熱硅膠基料由4-6重量份的甲基乙烯基硅橡膠、14-16重量份的乙烯基硅膠、19-21重量份的二甲基硅油、190-200重量份的球形氧化鋁粉、0.5-1.5重量份的含氫硅油、0.5-1重量份的鉑金催化劑混合制備而成。

9.根據權利要求7所述的儲能散熱片的制備方法，其特征在于:?在步驟1）中，相變材料基料由14-16重量份的聚異丁烯、9-11重量份的切片石蠟、73-75重量份的球形氧化鋁粉、0.5-1重量份的偶聯劑、0.5-1重量份的分散劑混合制備而成。

10.根據權利要求7所述的儲能散熱片的制備方法，其特征在于:?在步驟2）中，硫化的過程依次經過四個溫度區進行硫化，分別為：120℃、130℃、130℃、140℃，每個溫度區的硫化時間均為2分鐘。